[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201711018518.8 | 申請日: | 2017-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN108010916B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發明(設計)人: | 金恩雅;尹相天;李塞里努里 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/367;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本公開涉及顯示裝置及其制造方法。本發明公開了一種能夠通過消散在GIP驅動器的大尺寸薄膜晶體管中產生的高熱量來防止板內柵極(GIP)驅動器的驅動不良的顯示裝置及其制造方法。所述顯示裝置包括:柔性基板、設置在柔性基板上的GIP驅動器和顯示單元、設置在柔性基板下的保護構件、以及設置在柔性基板與保護構件之間并且交疊GIP驅動器的散熱墊。
技術領域
本公開涉及一種顯示裝置及其制造方法,更具體地,涉及一種用于防止薄膜晶體管損壞的顯示裝置及其制造方法。
背景技術
隨著信息社會的發展,對于顯示圖像的顯示裝置的需求以各種方式增加。在顯示裝置的領域中,大尺寸陰極射線管(CRT)已經被具有薄型、低重量和大尺寸屏幕的優點的平板顯示器(FPD)迅速地替代。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發光二極管(OLED)顯示器和電泳顯示器(EPD)。
OLED顯示器包括能夠自身發光的自發光元件,并且具有快速響應時間、高發光效率、高亮度和寬視角的優點。具體地,OLED顯示器可以使用柔性基板。此外,與等離子體顯示面板或無機電致發光顯示器相比,OLED顯示器具有較低的驅動電壓、較低的功耗和較好的色調的優點。
在柔性基板上制造的OLED顯示器包括:顯示單元,其包括多個子像素以實現圖像;板內柵極(GIP)驅動器,其用于向顯示單元施加柵極驅動信號;以及焊盤部,其接收來自外部的信號并且將信號發送到顯示單元。GIP驅動器包括具有相對大尺寸溝道的大尺寸薄膜晶體管。薄膜晶體管通常在其操作期間產生熱量。隨著薄膜晶體管的尺寸增加,薄膜晶體管中產生的熱量增加。在GIP驅動器的大尺寸薄膜晶體管中產生的高熱量傳遞到與大尺寸薄膜晶體管相鄰的有機層,從而對有機層產生損壞。因此,在有機層中產生氣體。在有機層中產生的氣體存在于GIP驅動器的層之間的界面并且將這些層剝離,從而損壞大尺寸薄膜晶體管。因此,無法驅動GIP驅動器。
發明內容
本公開提供了一種能夠通過消散在GIP驅動器的大尺寸薄膜晶體管中產生的高熱量來防止板內柵極(GIP)驅動器的不良驅動的顯示裝置及其制造方法。
一方面,提供了一種顯示裝置,其包括:柔性基板、設置在柔性基板上的板內柵極(GIP)驅動器和顯示單元、設置在柔性基板下的保護構件,以及設置在柔性基板與保護構件之間并且交疊GIP驅動器的散熱墊。
GIP驅動器包括大尺寸薄膜晶體管(TFT)部、小尺寸TFT部和時鐘線部。在本公開中,表述“大尺寸薄膜晶體管(TFT)部”和表述“小尺寸TFT部”并非意在限制薄膜晶體管的具體尺寸,而是用于將具有相對大尺寸的薄膜晶體管的部分與具有相對小尺寸的薄膜晶體管的部分進行區分。在本公開中,需要大尺寸薄膜晶體管以提供大的電流驅動能力。大尺寸TFT部設置在小尺寸TFT部與顯示單元之間。
散熱墊至少交疊大尺寸TFT部。柔性基板包括在柔性基板的下表面中的至少一個槽,并且散熱墊設置在槽中。顯示裝置還包括設置在顯示單元上的金屬保護構件,散熱墊通過導電(導熱)構件連接至金屬保護構件。
可替代地,散熱墊至少交疊大尺寸TFT部和小尺寸TFT部。柔性基板包括在柔性基板的下表面中的至少一個槽,并且散熱墊設置在槽中。顯示裝置還包括設置在顯示單元上的金屬保護構件,散熱墊通過導電構件連接至金屬保護構件。
可替代地,散熱墊交疊大尺寸TFT部、小尺寸TFT部和時鐘線部。柔性基板包括在柔性基板的下表面中的至少一個槽,并且散熱墊設置在槽中。顯示裝置還包括設置在顯示單元上的金屬保護構件,散熱墊通過導電構件連接至金屬保護構件。
柔性基板包括在柔性基板的下表面中的至少一個槽,并且散熱墊設置在槽中。散熱墊具有至少一個圖案。
散熱墊由金屬或金屬氧化物形成。散熱墊具有10nm至1000nm的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





