[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711018518.8 | 申請日: | 2017-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN108010916B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金恩雅;尹相天;李塞里努里 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/367;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
柔性基板;
設(shè)置在所述柔性基板上的板內(nèi)柵極驅(qū)動器和顯示單元,所述板內(nèi)柵極驅(qū)動器設(shè)置在所述顯示單元外部并且包括移位寄存器,其向所述顯示單元施加?xùn)艠O驅(qū)動信號;
設(shè)置在所述柔性基板下的保護構(gòu)件;以及
設(shè)置在所述柔性基板與所述保護構(gòu)件之間并且交疊所述板內(nèi)柵極驅(qū)動器的散熱墊,
其中所述散熱墊與所述顯示單元不交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述板內(nèi)柵極驅(qū)動器包括大尺寸薄膜晶體管部、小尺寸薄膜晶體管部和時鐘線部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述大尺寸薄膜晶體管部設(shè)置在所述小尺寸薄膜晶體管部與所述顯示單元之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述散熱墊至少交疊所述大尺寸薄膜晶體管部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中所述柔性基板包括在所述柔性基板的下表面中的至少一個槽,以及
其中所述散熱墊設(shè)置在所述槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,還包括設(shè)置在所述顯示單元上的金屬保護構(gòu)件,
其中所述散熱墊通過導(dǎo)電構(gòu)件連接至所述金屬保護構(gòu)件。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述散熱墊至少交疊所述大尺寸薄膜晶體管部和所述小尺寸薄膜晶體管部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中所述柔性基板包括在所述柔性基板的下表面中的至少一個槽,以及
其中所述散熱墊設(shè)置在所述槽中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,還包括設(shè)置在所述顯示單元上的金屬保護構(gòu)件,
其中所述散熱墊通過導(dǎo)電構(gòu)件連接至所述金屬保護構(gòu)件。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述散熱墊交疊所述大尺寸薄膜晶體管部、所述小尺寸薄膜晶體管部和所述時鐘線部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中所述柔性基板包括在所述柔性基板的下表面中的至少一個槽,以及
其中所述散熱墊設(shè)置在所述槽中。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,還包括設(shè)置在所述顯示單元上的金屬保護構(gòu)件,
其中所述散熱墊通過導(dǎo)電構(gòu)件連接至所述金屬保護構(gòu)件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述散熱墊具有至少一個圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述散熱墊由金屬或金屬氧化物形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述散熱墊具有10nm至1000nm的厚度。
16.一種用于制造顯示裝置的方法,包括:
在支承基板上形成犧牲層;
在所述犧牲層上形成散熱墊;
在所述散熱墊上形成柔性基板;
在所述柔性基板上形成板內(nèi)柵極驅(qū)動器和顯示單元;
將激光照射到所述犧牲層上以將所述支承基板和所述犧牲層從所述柔性基板分離;
將保護構(gòu)件附接至所述柔性基板的下表面,
其中所述散熱墊交疊所述板內(nèi)柵極驅(qū)動器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





