[發明專利]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201711017986.3 | 申請日: | 2017-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN107799538B | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發明(設計)人: | 冷傳利;何水;姜文鑫 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供一種顯示面板和顯示裝置。該顯示面板包括:位于襯底基板上的第一膜層,第一膜層具有開口,開口包括底表面和側壁,第一膜層遠離襯底基板一側的上表面、側壁和底表面構成臺階,設置于第一膜層上表面和開口內的第一金屬線,第一金屬線在所述臺階處斷開,跨橋金屬線的第一端與第一走線通過貫穿所絕緣層上的過孔電連接,跨橋金屬線的第二端與第二走線電連接,通過上述設計,由于第一金屬線在該臺階處斷開,因此在通過構圖工藝制作第一金屬線的過程中,臺階處無論光刻膠厚度均勻與否,以及在構圖工藝完成后,臺階處無論是否殘留有金屬,都不會使第一金屬線短路。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。
背景技術
在制作顯示面板的過程中,某些膜層會被制作成臺階狀,然后再在該膜層上制作金屬層,并通過構圖工藝將該金屬層制作成金屬走線,其中金屬走線之間相互不連接,然而通過構圖工藝在該臺階處將金屬層圖形化形成金屬走線時,由于臺階處的光刻膠厚度不均勻,光刻膠較厚的地方,光刻膠會有殘留,使得該臺階處本來需要刻蝕掉的金屬未被刻蝕掉,從而使得相鄰的金屬走線處于連接狀態,進而造成金屬走線短路。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板和顯示裝置,用于解決現有技術中金屬走線短路的問題。
一方面,本發明實施例提供一種顯示面板,所述顯示面板包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的第一膜層,所述第一膜層具有開口,所述開口包括底表面和側壁,所述第一膜層遠離所述襯底基板一側的上表面、所述側壁和所述底表面構成臺階;
設置于所述第一膜層上表面和所述開口內的第一金屬線,所述第一金屬線在所述臺階處斷開,其中,位于所述第一膜層上表面的所述第一金屬線為第一走線,位于所述開口內的所述第一金屬線為第二走線;
跨橋金屬線,所述跨橋金屬線的第一端與所述第一走線之間具有絕緣層,且所述第一端與所述第一走線通過貫穿所述絕緣層上的過孔電連接,所述跨橋金屬線的第二端與所述第二走線電連接。
另一方面,本發明實施例提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
上述技術方案中的一個技術方案具有如下有益效果:
在本發明實施例中,第一膜層具有開口,開口包括底表面和側壁,并且第一膜層遠離襯底基板一側的上表面、該側壁和該底表面構成臺階,設置在第一膜層上表面和該開口內的第一金屬線在該臺階處斷開,并且通過跨橋金屬線將位于第一膜層上表面的第一金屬線和位于開口內的第一金屬線電連接上,由于第一金屬線在該臺階處斷開,即在臺階處沒有金屬,因此在臺階處無論是否光刻膠殘留,都不會是第一金屬線短路,例如,在第一膜層上形成開口后,在第一膜層上形成金屬層,并且該金屬層在臺階處斷開,然后通過構圖工藝將金屬層制作成第一金屬線,由于該金屬層在臺階處斷開,因此在通過構圖工藝制作第一金屬線的過程中,臺階處無論光刻膠厚度均勻與否,以及在構圖工藝完成后,臺階處無論是否殘留有金屬,都不會使第一金屬線短路,并且,由于位于第一膜層上表面的第一金屬線和位于開口內的第一金屬線通過跨橋金屬線電連接,因此使得第一金屬線能夠導通,行使相應的作用。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例提供的一種顯示面板的俯視示意圖;
圖2為圖1中沿AA’方向上的一種截面示意圖;
圖3為本發明實施例提供的另一種顯示面板的俯視示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





