[發明專利]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201711017986.3 | 申請日: | 2017-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN107799538B | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發明(設計)人: | 冷傳利;何水;姜文鑫 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的第一膜層,所述第一膜層具有開口,所述開口包括底表面和側壁,所述第一膜層遠離所述襯底基板一側的上表面、所述側壁和所述底表面構成臺階;
設置于所述第一膜層上表面和所述開口內的第一金屬線,所述第一金屬線在所述臺階處斷開,其中,位于所述第一膜層上表面的所述第一金屬線為第一走線,位于所述開口內的所述第一金屬線為第二走線,所述第二走線與所述臺階不交疊;
跨橋金屬線,所述跨橋金屬線的第一端與所述第一走線之間具有絕緣層,且所述第一端與所述第一走線通過貫穿所述絕緣層上的過孔電連接,所述跨橋金屬線的第二端與所述第二走線電連接。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
依次設置于所述襯底基板上的無機緩沖層和薄膜晶體管;
所述薄膜晶體管包括半導體層、柵極層和源漏金屬層,設置于所述柵極層和所述半導體層之間的柵極絕緣層,設置于所述柵極層和所述源漏金屬層之間的層間絕緣層;
所述第一膜層包括所述無機緩沖層、所述柵極絕緣層、所述層間絕緣層中的至少一層。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一金屬線與所述源漏金屬層同層設置,且材料相同。
4.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述絕緣層位于所述第一金屬走線遠離所述襯底基板的一側;
所述第二端與所述第二走線通過貫穿所述絕緣層上的過孔電連接。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管還包括:
設置于所述源漏金屬層遠離所述襯底基板一側的鈍化層;
設置于所述鈍化層遠離所述襯底基板一側的平坦化層;
所述絕緣層為所述平坦化層。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
設置于所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側的觸控金屬層,所述觸控金屬層多個觸摸電極和/或觸摸信號線;
所述跨橋金屬線與所述觸控金屬層同層設置。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:設置于所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側的有機發光層,覆蓋所述有機發光層的封裝層,所述觸控金屬層設置于所述封裝層遠離所述襯底基板的一側。
8.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述絕緣層為所述第一膜層;
所述跨橋金屬線位于所述絕緣層靠近所述襯底基板的一側。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一膜層包括所述無機緩沖層、所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層,所述開口的底表面為所述襯底基板的表面;
所述跨橋金屬線和所述第二走線直接設置于所述襯底基板朝向所述第一膜層的表面。
10.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一膜層包括所述層間絕緣層,所述跨橋金屬線與所述柵極層同層設置。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,
所述開口的底表面為所述襯底基板的表面,所述第二走線直接設置于所述襯底基板朝向所述第一膜層的表面。
12.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述襯底基板為柔性基板,所述柔性基板的材料包括聚酰亞胺。
13.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區域和圍繞所述顯示區域的非顯示區域,所述開口位于所述非顯示區域。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海天馬微電子有限公司,未經上海天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711017986.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





