[發明專利]位于不同接觸區域層級上的接觸方案

有效

• 申請號: 201711017950.5
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109300876B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: C·K·彼得斯;P·巴爾斯
• 申請（專利權）人: 格芯美國公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

1.一種半導體結構，包括：

第一接觸，在所述結構的第一層級處；

跨接接觸，在所述結構的第二、更高層級處；

蝕刻停止層，其具有在所述第一接觸之上的開口，并且部分地包封所述跨接接觸并具有暴露所述跨接接觸的開口；以及

接觸，其是雙鑲嵌結構并通過所述開口與所述第一層級處的所述第一接觸和所述第二、更高層級處的所述跨接接觸電接觸，

所述跨接接觸與在與所述第一接觸相同層級處的第二接觸電接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述跨接接觸是鎢塞結構。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，在所述結構的所述第一層級處，所述第一接觸與柵極結構電接觸以及所述第二接觸與所述柵極結構的源極/漏極電接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中，所述源極/漏極區域是凸起的源極/漏極區域。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述接觸是延伸到所述結構的不同層級的銅。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一接觸和所述跨接接觸是鎢。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述接觸是延伸到所述結構的更高層級的雙鑲嵌結構。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述接觸是與所述跨接接觸和所述第一接觸不同的材料。

9.一種用于制造半導體結構的方法，包括：

在結構的第一層級處形成第一接觸和第二接觸；

在所述結構的第二、更高層級處形成跨接接觸，其中所述跨接接觸被形成為與所述第二接觸電連接；

形成具有所述第一接觸之上的開口和所述跨接接觸之上的開口的蝕刻停止層；以及

由雙鑲嵌工藝通過所述蝕刻停止層的所述開口形成與所述第一層級處的所述第一接觸和所述第二、更高層級處的所述跨接接觸電接觸的接觸。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第一接觸接觸柵極結構以及所述第二接觸接觸凸起的源極/漏極區域。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一接觸、所述第二接觸和所述跨接接觸具有相同的材料。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述接觸由與所述跨接接觸和所述第一接觸直接接觸的銅材料形成。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，所述跨接接觸被所述蝕刻停止層包封，并且所述跨接接觸形成在所述第一層級之上的所述蝕刻停止層的另一開口中。

14.根據權利要求9所述的方法，還包括在所述蝕刻停止層之上形成層間電介質。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括通過在所述蝕刻停止層上停止的濕氧化物蝕刻工藝來蝕刻所述層間電介質以允許所述跨接接觸的包封和所述蝕刻停止層的加厚。

16.一種用于制造半導體結構的方法，包括：

在襯底上形成柵極結構；

在所述襯底上形成凸起的源極/漏極區域；

在第一層級處形成到所述柵極結構的第一接觸；

在所述第一層級處形成到所述凸起的源極/漏極區域的第二接觸；

在相對于所述第一層級的第二、更高層級處形成與所述第二接觸電連接的跨接接觸；

用蝕刻停止層包封所述跨接接觸；以及

形成位于所述第一層級處的所述第一接觸上和所述第二、更高層級處的所述跨接接觸上的雙鑲嵌銅布線結構。