[發明專利]封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201711014931.7
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN108807322A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 林柏均;朱金龍
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/56
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;周勇

1.一種封裝結構，其特征在于，包含：

半導體基板；

焊墊，設置于所述半導體基板之上；

導電層，設置于所述焊墊之上；

保護涂層；以及

金屬凸塊，設置于所述導電層之上，且所述保護涂層覆蓋所述金屬凸塊，以避免所述金屬凸塊的氧化。

2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包含：

鈍化層，設置于所述半導體基板之上，

其中所述焊墊設置于所述鈍化層中，所述鈍化層具有開口以部分暴露所述焊墊的表面，且所述導電層連接于所述焊墊的所述表面以及所述鈍化層。

3.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬凸塊具有平坦表面，背離所述半導體基板。

4.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬凸塊具有非圓形狀。

5.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬凸塊由銅形成。

6.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述導電層為凸塊下金屬層。

7.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述保護涂層為有機保焊劑層。

8.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包含：

焊料層，設置于所述保護涂層之上，且位于所述金屬凸塊的正上方。

9.如權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述焊料層由錫形成。

10.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述鈍化層由二氧化硅形成。

11.一種封裝結構的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含：

提供半導體基板；

在所述半導體基板之上形成焊墊；

在所述焊墊之上形成導電層；

在所述導電層之上形成金屬凸塊；以及

在所述金屬凸塊之上形成保護涂層，使得所述保護涂層覆蓋所述金屬凸塊，以避免所述金屬凸塊的氧化。

12.如權利要求11所述的制造方法，其特征在于，還包含：

在所述焊墊以及所述半導體基板之上形成鈍化層；以及

在所述鈍化層中形成開口，以部分暴露所述焊墊的表面。

13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述導電層形成于所述焊墊之上，包含：

形成所述導電層連接于所述焊墊的所述表面以及所述鈍化層。

14.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，還包含：

在所述保護涂層之上且在所述金屬凸塊的正上方形成焊料層。

15.如權利要求11所述的制造方法，其特征在于，還包含：

在形成所述焊料層以后，對所述封裝結構執行表面焊接技術，以移除所述保護涂層。

16.如權利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述保護涂層為有機保焊劑層，在所述表面焊接技術執行以后，所述有機保焊劑層被蒸發。

17.一種封裝結構的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含：

提供半導體基板；

在所述半導體基板之上形成焊墊；

在所述焊墊以及所述半導體基板之上形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成開口，以部分暴露所述焊墊的一表面；

形成導電層連接于所述焊墊的所述表面以及所述鈍化層；

在所述導電層之上形成金屬凸塊；

在所述保護涂層之上且在所述金屬凸塊的正上方形成焊料層；以及

執行回焊工藝，將所述焊料層形成為焊錫凸塊，并移除所述保護涂層。