[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板有效
| 申請號: | 201711014395.0 | 申請日: | 2017-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN107728392B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 江亮亮;郭磊;戴珂 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 液晶顯示 面板 | ||
本發明提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板,屬于顯示技術領域,其可解決現有的液晶顯示面板容易出現閃爍的問題。本發明的陣列基板的第一電極與第二電極相互絕緣,在第一電極與第二電極之間設置由負熱膨脹材料構成的膜厚調控層,膜厚調控層。當該陣列基板通電工作時,膜厚調控層受光照升高溫度后收縮,降低第一電極與第二電極的間距,增大存儲電容,從而使得饋入電壓維持穩定,改善液晶面板的畫面閃爍不良。本發明的陣列基板適用于各種顯示裝置,尤其適用于ADS模式的顯示裝置。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板。
背景技術
現有薄膜晶體管液晶顯示面板中,高級超維場開關(AdvancedSuperDimensionalSwitching;ADS)技術具有高穿透率、寬視角等優勢,得到了快速發展。一般液晶顯示面板在正常工作時,為防止液晶極化,像素電壓的極性以公共電壓Vcom為中心做正、負極性周期性交流變化。
發明人發現現有技術中至少存在如下問題:當柵極Gate電壓由開態高電平Vgh向關態低電平Vgl切換時,由于寄生電容的存在,導致最終施加到像素的數據線電壓同初始電壓發生偏移,即饋入電壓(Feed-Through)ΔVp。由于ΔVp的存在,導致正、負極性像素電壓整體向某一方向偏移,從而兩者同公共電壓的壓差差值不對稱,導致液晶顯示面板出現比較嚴重的閃爍(Flicker)問題,不僅降低產品質量而且會導致人眼視覺疲勞甚至頭暈現象。此外,隨著液晶顯示裝置工作時間的增加,背光源的溫度逐漸提升,導致液晶顯示面板的閃爍現象越來越嚴重。
發明內容
本發明針對現有的液晶顯示面板容易出現閃爍的問題,提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是:
一種陣列基板,包括第一電極、第二電極,所述第一電極與第二電極之間設有絕緣層,其中,所述絕緣層與第一電極之間還設有膜厚調控層,所述膜厚調控層由負熱膨脹材料構成,用于調整第一電極與第二電極之間的距離。
優選的是,所述負熱膨脹材料包括金屬-陶瓷復合材料、三氟化鈧晶體、鋯鎢酸鹽中的任意一種或幾種。
優選的是,所述絕緣層包括柵極絕緣層和鈍化層,所述柵極絕緣層相較于所述鈍化層更靠近第一電極。
優選的是,所述膜厚調控層設于柵極絕緣層與鈍化層之間。
優選的是,所述膜厚調控層設于柵極絕緣層與第一電極之間。
優選的是,所述負熱膨脹材料熱膨脹系數范圍為-27×10-6K-1~-5×10-6K-1。
優選的是,受熱前所述第一電極與第二電極之間極之間的距離為H1,受熱后所述第一電極與第二電極之間極之間的距離為H2,H1與H2的差值為1-10nm。
本發明還提供一種液晶顯示面板,包括上述的陣列基板。
優選的是,液晶顯示面板還包括彩膜基板,所述彩膜基板與所述陣列基板之間設有液晶,其中,柵極的高電平信號為Vgh,柵極的低電平信號為Vgl,液晶電容為Clc,像素存儲電容為Cst,耦合電容為Cgs,饋入電壓為△Vp,
并且,△Vp為定值。
本發明還提供一種陣列基板的制備方法,包括以下步驟:
形成第一電極;
采用負熱膨脹材料形成膜厚調控層;
形成絕緣層;
形成第二電極。
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