[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板

有效

• 申請號: 201711014395.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107728392B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 江亮亮;郭磊;戴珂
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種陣列基板，其特征在于，包括第一電極、第二電極，所述第一電極與第二電極之間設有絕緣層，其中，所述絕緣層與第一電極之間還設有膜厚調控層，所述膜厚調控層由負熱膨脹材料構成，用于調整第一電極與第二電極之間的距離。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述負熱膨脹材料包括金屬-陶瓷復合材料、三氟化鈧晶體、鋯鎢酸鹽中的任意一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層包括柵極絕緣層和鈍化層，所述柵極絕緣層相較于所述鈍化層更靠近第一電極。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述膜厚調控層設于柵極絕緣層與鈍化層之間。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述膜厚調控層設于柵極絕緣層與第一電極之間。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述負熱膨脹材料熱膨脹系數范圍為-27×10^-6K^-1～-5×10^-6K^-1。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，受熱前所述第一電極與第二電極之間極之間的距離為H1，受熱后所述第一電極與第二電極之間極之間的距離為H2，H1與H2的差值為1-10nm。

8.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-7任一項所述的陣列基板。

9.根據權利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，還包括彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板之間設有液晶，其中，柵極的高電平信號為Vgh，柵極的低電平信號為Vgl，液晶電容為Clc，像素存儲電容為Cst，耦合電容為Cgs，饋入電壓為△Vp，

并且，△Vp為定值。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成第一電極；

采用負熱膨脹材料形成膜厚調控層；

形成絕緣層；

形成第二電極。