[發明專利]晶圓的清洗方法

在審

• 申請號: 201711014211.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109712866A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 魏順鋒
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/12
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明的晶圓的清洗方法，依次包括：晶圓置于酸性混合液中進行脫膠；該晶圓置于硝酸和氫氟酸的混合酸溶液中進行清洗；該晶圓置于弱堿溶劑中浸泡；以及用純水沖洗該晶圓。該方法能高效去除晶圓上的殘留物，減少晶圓上的缺陷，從而保證半導體器件的性能和良率。

技術領域

本發明涉及半導體芯片清洗領域，尤其涉及一種晶圓的清洗方法。

背景技術

隨著集成電路特征尺寸進入到深亞微米階段，集成電路芯片制造工藝中所要求的晶圓的潔凈度越來越高，為了保證芯片材料表面的潔凈度，集成電路的制造工藝中存在數百道清洗工藝。

現有的半導體制造工藝中，需要將金屬鎢(W)填充到接觸孔(CT)中，然后進行平坦化。現有的清洗方法一般是在鎢CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光)工藝之后，先采用氨水(NH₄OH)進行清洗晶圓，再采用氫氟酸(HF)清洗所述晶圓。

但是，在實際的操作過程中，發現現有的清洗方法并不能有效地去除鎢CMP工藝之后的缺陷。鎢CMP工藝后的晶圓上的缺陷數量多(大概5000個)，因此如何提供一種CMP后的清洗方法，能夠減少鎢CMP清洗后晶圓上的缺陷，已成為本領域技術人員亟需解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓的清洗方法，其能高效去除晶圓上的殘留物，減少晶圓上的缺陷，從而保證半導體器件的性能和良率。

為實現上述目的，本發明的晶圓的清洗方法，依次包括以下步驟：

晶圓置于酸性混合液中進行脫膠；

該晶圓置于硝酸和氫氟酸的混合酸溶液中進行清洗；

該晶圓置于弱堿溶劑中浸泡；以及

用純水沖洗該晶圓。

與現有技術相比，本發明的清洗結合酸性脫膠、酸性清洗、堿性浸泡以及純水清洗等多重清洗，而且采用超聲波清洗技術，從而有效清除經過鎢CMP工藝后殘留在晶圓上的殘留物以及缺陷，從而減少晶圓上的缺陷，從而保證半導體器件的性能和良率。

較佳地，晶圓脫膠之后、采用混合酸溶液清洗之前還包括：該晶圓置于純水中采用超聲波進行預清洗。

較佳地，所述硝酸和所述氫氟酸的體積比為10:1-15:1。

較佳地，所述硝酸的濃度為65％-68％，所述氫氟酸的濃度為38％-41％。

較佳地，晶圓在所述硝酸和所述氫氟酸的混合酸溶液中的處理時間為50-60秒。

較佳地，晶圓在所述弱堿溶劑中的浸泡時間為1-2小時。

較佳地，所述弱堿溶劑為N-甲基吡咯烷酮溶劑。

較佳地，所述純水的溫度為70℃-85℃，所述純水的電阻率大于16MΩ·cm。

較佳地，所述超聲波的頻率大于20kHz，預清洗的時間為10-20分鐘。

較佳地，所述酸性混合液為檸檬酸、乳酸和純水的混合液。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明的晶圓的清洗方法作進一步說明，但不因此限制本發明。

本發明的晶圓的清洗方法的一個實施例依次包括以下步驟：

晶圓置于酸性混合液中進行脫膠；

該晶圓置于硝酸和氫氟酸的混合酸溶液中進行清洗；

該晶圓置于弱堿溶劑中浸泡；以及

用純水沖洗該晶圓。