[發(fā)明專利]晶圓的清洗方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711014211.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109712866A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魏順鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓 清洗 半導(dǎo)體器件 混合酸溶液 酸性混合液 純水沖洗 弱堿 氫氟酸 硝酸 溶劑 良率 去除 脫膠 浸泡 保證 | ||
1.一種晶圓的清洗方法，依次包括以下步驟：
晶圓置于酸性混合液中進(jìn)行脫膠；
該晶圓置于硝酸和氫氟酸的混合酸溶液中進(jìn)行清洗；
該晶圓置于弱堿溶劑中浸泡；以及
用純水沖洗該晶圓。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：晶圓脫膠之后、采用混合酸溶液清洗之前還包括：該晶圓置于純水中采用超聲波進(jìn)行預(yù)清洗。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述硝酸和所述氫氟酸的體積比為10:1-15:1。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述硝酸的濃度為65％-68％，所述氫氟酸的濃度為38％-41％。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：晶圓在所述硝酸和所述氫氟酸的混合酸溶液中的處理時(shí)間為50-60秒。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：晶圓在所述弱堿溶劑中的浸泡時(shí)間為1-2小時(shí)。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述弱堿溶劑為N-甲基吡咯烷酮溶劑。
8.如權(quán)利要求2所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述純水的溫度為70℃-85℃，所述純水的電阻率大于16MΩ·cm。
9.如權(quán)利要求2所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述超聲波的頻率大于20kHz，預(yù)清洗的時(shí)間為10-20分鐘。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述酸性混合液為檸檬酸、乳酸和純水的混合液。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
