[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201711013764.4 | 申請日: | 2017-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN107706227B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 王明;王東方 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明公開一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,為解決現有的顯示基板的出光率較低的問題。所述顯示基板的制備方法,包括在襯底基板上形成發光元件,還包括在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構,所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散。本發明提供的顯示基板的制備方法用于制備顯示基板。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,有機發光二極管(英文:Organic Light-EmittingDiode,以下簡稱OLED)顯示基板以其自發光、抗震能力強,重量輕、體積小,攜帶更加方便等特點,受到了人們的廣泛關注。目前,OLED顯示基板主要為底發光結構,一般包括襯底基板,以及依次疊加形成在襯底基板上的柵極絕緣層、有源層、鈍化層、平坦層、陽極、有機發光層和陰極等。底發光結構的OLED顯示基板在實際應用時,由有機發光層發出的光會依次通過陽極、平坦層、鈍化層、有源層、柵極絕緣層等多種膜層,并最終從襯底基板出射實現顯示基板的出光。
但是由有機發光層發出的光線在經多種膜層傳輸的過程中,容易被多種膜層吸收和反射,造成光傳輸過程中的損失,進而導致顯示基板的出光率較低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,用于解決現有的顯示基板的出光率較低的問題。
為了實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
本發明的第一方面提供一種顯示基板的制備方法,包括在襯底基板上形成發光元件,所述制備方法還包括:在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構,所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散。
進一步地,所述在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括:利用制作薄膜晶體管的有源層的材料,在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構。
進一步地,所述利用制作薄膜晶體管的有源層的材料,在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括:
在襯底基板上沉積氧化物半導體材料;
對所述氧化物半導體材料進行構圖,形成過渡圖形,所述過渡圖形包括位于顯示基板的像素發光區的待刻蝕圖形和位于薄膜晶體管半導體區域的有源層圖形;
對所述待刻蝕圖形進行不完全刻蝕,形成所述微透鏡結構。
進一步地,所述對所述待刻蝕圖形進行不完全刻蝕,形成所述微透鏡結構包括:
根據所述待刻蝕圖形的厚度,計算將所述待刻蝕圖形完全刻蝕所需要的完全刻蝕時間;
設置目標刻蝕時間,且所述目標刻蝕時間小于所述完全刻蝕時間;
根據所述目標刻蝕時間,對所述待刻蝕圖形進行刻蝕,以形成所述微透鏡結構。
進一步地,所述目標刻蝕時間為所述完全刻蝕時間的20%~80%。
進一步地,所述在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括:利用氧化銦錫材料,在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構。
基于上述顯示基板的制備方法的技術方案,本發明的第二方面提供一種顯示基板,采用上述顯示基板的制備方法制備,所述顯示基板包括:襯底基板、形成在所述襯底基板上的發光元件,以及設置在所述發光元件的出光側的微透鏡結構,所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散。
進一步地,所述顯示基板還包括設置在薄膜晶體管半導體區域,且與所述微透鏡結構同層設置的有源層圖形;所述微透鏡結構的材料與所述有源層圖形的材料相同,且所述微透鏡結構的厚度為所述有源層圖形的厚度的20%~80%。
進一步地,所述微透鏡結構的材料為氧化銦錫材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





