[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201711013764.4
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107706227B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 王明;王東方
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

1.一種顯示基板的制備方法，包括在襯底基板上形成發光元件，其特征在于，所述制備方法還包括：

在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構，所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散；

所述在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括：

利用制作薄膜晶體管的有源層的材料，在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構；

所述利用制作薄膜晶體管的有源層的材料，在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括：

在襯底基板上沉積氧化物半導體材料；

對所述氧化物半導體材料進行構圖，形成過渡圖形，所述過渡圖形包括位于顯示基板的像素發光區的待刻蝕圖形和位于薄膜晶體管半導體區域的有源層圖形；

對所述待刻蝕圖形進行不完全刻蝕，形成所述微透鏡結構。

2.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述對所述待刻蝕圖形進行不完全刻蝕，形成所述微透鏡結構包括：

根據所述待刻蝕圖形的厚度，計算將所述待刻蝕圖形完全刻蝕所需要的完全刻蝕時間；

設置目標刻蝕時間，且所述目標刻蝕時間小于所述完全刻蝕時間；

根據所述目標刻蝕時間，對所述待刻蝕圖形進行刻蝕，以形成所述微透鏡結構。

3.根據權利要求2所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述目標刻蝕時間為所述完全刻蝕時間的20％～80％。

4.一種采用如權利要求1～3任一項所述的顯示基板的制備方法制備的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括：襯底基板、形成在所述襯底基板上的發光元件，以及設置在所述發光元件的出光側的微透鏡結構，所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散；

所述顯示基板還包括設置在薄膜晶體管半導體區域，且與所述微透鏡結構同層設置的有源層圖形；

所述微透鏡結構的材料與所述有源層圖形的材料相同。

5.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述微透鏡結構的厚度為所述有源層圖形的厚度的20％～80％。

6.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括在襯底基板上形成發光元件，其特征在于，所述制備方法還包括：

在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構，所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散；

所述在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括：

利用氧化銦錫材料，在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構；

所述利用利用氧化銦錫材料，在所述發光元件的出光側形成微透鏡結構包括：

在襯底基板上沉積氧化銦錫材料；

對氧化銦錫材料進行構圖，形成過渡圖形；

對待刻蝕圖形進行不完全刻蝕，形成微透鏡結構。

7.一種采用如權利要求6所述的顯示基板的制備方法制備的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括：襯底基板、形成在所述襯底基板上的發光元件，以及設置在所述發光元件的出光側的微透鏡結構，所述微透鏡結構能夠將所述發光元件發出的光線進行擴散；所述微透鏡結構的材料為氧化銦錫材料。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求4、權利要求5和權利要求7中任一項所述的顯示基板。