[發明專利]一種穩壓系統中的基準電路結構

在審

• 申請號: 201711010232.5
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN107748586A
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 沈懌皓
• 申請（專利權）人: 丹陽恒芯電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及基準電壓電路領域，尤其涉及一種穩壓系統中的基準電路結構。

背景技術

在物聯網和大多數無線通訊的應用中，相關接收電路或者發射電路等都是需要低功耗和小面積的，這些系統中都需要用到穩壓系統，因此低功耗和小面積對基準電路來說是非常關鍵和非常必要的。穩壓系統作為模擬電路的重要部分，而基準電路又是穩壓系統的重要組成部分，一般需要在一個較寬的溫度范圍內正常工作，因此不僅要求功耗低，還需要性能穩定，有較好的溫度特性，最好所占面積也要小。傳統的方式可以采用帶隙基準電路進行設計，但是其功耗相對較大，而且需要用到電阻和三極管，導致芯片面積較大。

發明內容

為克服上述現有技術存在的問題，本發明的主要目的在于提供一種穩壓系統中的基準電路結構，有點是面積小、功耗低，而且溫度系數可調。

為達上述及其它目的，本發明提供一種基準電路結構，其至少包括：

一啟動電路，用于驅動所述基準電路，啟動更穩定，系統更穩定；

一運算放大電路，采用自偏置差分結構，最大程度減小因電流變化對電路產生的影響；

一核心基準電路，產生核心的基準電流和基準電壓，產生基準電壓的精度非常高，由于整個電路中沒有采用電阻，也沒有采用三極管，全部都是MOS晶體管，所以總體電路的面積非常小，該電路的溫度系數還是可以根據測試情況進行調節。

本發明的結構在于，所述啟動電路由第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11和第一電容C1構成；電容C1的一端與電源電壓相連接；電容C1的另一端與NM10管的漏極和NM11管的柵極相連接；NM10管的源極和NM11管的源極接地；

所述運算放大電路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第七PMOS管PM7、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4構成；PM1管的源極、PM2的源極、PM3管的源極、PM7管的源極和PM7管的漏極都與電源電壓VDD相連接；PM7管的柵極與NM11管的漏極、PM2管的漏極、PM3管的柵極和NM2管的漏極相連接，其節點標注為VC；PM1管的柵極與PM1管的漏極、NM1管的漏極和PM2管的柵極相連接；PM3管的漏極與NM4管的漏極、NM4管的柵極、NM3管的柵極相連接；NM1管的源極與NM2管的源極和NM3管的漏極相連接；NM3管的源極和NM4管的源極接地；

所述核心基準電路由第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8、第九NMOS管NM9、第十二NMOS管NM12、第十三NMOS管NM13、第十四NMOS管NM14和第十五NMOS管NM15構成；PM4管的源極、PM5管的源極和PM6管的源極都與電源電壓VDD相連接；PM4管的柵極、PM5管的柵極和PM6管的柵極都與PM3管的柵極相連接；PM4管的漏極與NM2管的柵極、NM5管的漏極和NM5管的柵極相連接，其節點標注為VA；PM5管的漏極與NM1管的柵極、NM7管的漏極、NM7管的柵極、NM8管的漏極、NM8管的柵極、NM12管的漏極、NM12管的柵極、NM14管的漏極和NM14管的柵極相連接，其節點標注為VB；NM7管的源極與NM6管的柵極和NM6管的漏極相連接；NM12管的源極與NM13管的漏極相連接；NM14管的源極與NM15管的漏極相連接；NM13管的柵極接輸入控制信號一；NM15管的柵極接輸入控制信號二；PM6管的漏極與NM9管的柵極和NM9管的漏極相連接，其節點作為基準電壓VREF的輸出端，NM10管的柵極連接該節點；NM5管的源極、NM6管的源極、NM8管的源極、NM13管的源極、NM15管的源極和NM9管的源極接地。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明基準電路結構圖。

具體實施方式