[發明專利]一種穩壓系統中的基準電路結構在審
| 申請號: | 201711010232.5 | 申請日: | 2017-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN107748586A | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發明(設計)人: | 沈懌皓 | 申請(專利權)人: | 丹陽恒芯電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 212300 江蘇省鎮*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 穩壓 系統 中的 基準 電路 結構 | ||
1.一種穩壓系統中的基準電路結構,包括:一啟動電路,用于驅動所述基準電路,啟動更穩定,系統更穩定;一運算放大電路,采用差分結構,電路簡單可靠,最大程度減小因電流變化對電路產生的影響;一核心基準電路,產生精準的基準電流和基準電壓,而且可以根據芯片實際情況對溫度系數進行調節,最輸出基準擁有最小的溫度系數,由于整個電路中沒有采用電阻,也沒有采用三極管,全部都是MOS晶體管,所以總體電路的面積非常小。
2.如權利要求1所述的低功耗無電阻基準電路,其特征在于:所述啟動電路由第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11和第一電容C1構成;電容C1的一端與電源電壓相連接;電容C1的另一端與NM10管的漏極和NM11管的柵極相連接;NM10管的源極和NM11管的源極接地。
3.如權利要求1所述的低功耗COMS基準電路,其特征在于:所述運算放大電路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第七PMOS管PM7、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4構成;PM1管的源極、PM2的源極、PM3管的源極、PM7管的源極和PM7管的漏極都與電源電壓VDD相連接;PM7管的柵極與NM11管的漏極、PM2管的漏極、PM3管的柵極和NM2管的漏極相連接,其節點標注為VC;PM1管的柵極與PM1管的漏極、NM1管的漏極和PM2管的柵極相連接;PM3管的漏極與NM4管的漏極、NM4管的柵極、NM3管的柵極相連接;NM1管的源極與NM2管的源極和NM3管的漏極相連接;NM3管的源極和NM4管的源極接地。
4.如權利要求1所述的低功耗COMS基準電路,其特征在于:所述核心基準電路由第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8、第九NMOS管NM9、第十二NMOS管NM12、第十三NMOS管NM13、第十四NMOS管NM14和第十五NMOS管NM15構成;PM4管的源極、PM5管的源極和PM6管的源極都與電源電壓VDD相連接;PM4管的柵極、PM5管的柵極和PM6管的柵極都與PM3管的柵極相連接;PM4管的漏極與NM2管的柵極、NM5管的漏極和NM5管的柵極相連接,其節點標注為VA;PM5管的漏極與NM1管的柵極、NM7管的漏極、NM7管的柵極、NM8管的漏極、NM8管的柵極、NM12管的漏極、NM12管的柵極、NM14管的漏極和NM14管的柵極相連接,其節點標注為VB;NM7管的源極與NM6管的柵極和NM6管的漏極相連接;NM12管的源極與NM13管的漏極相連接;NM14管的源極與NM15管的漏極相連接;NM13管的柵極接輸入控制信號CT1;NM15管的柵極接輸入控制信號CT2;PM6管的漏極與NM9管的柵極和NM9管的漏極相連接,其節點作為基準電壓VREF的輸出端,NM10管的柵極連接該VREF節點;NM5管的源極、NM6管的源極、NM8管的源極、NM13管的源極、NM15管的源極和NM9管的源極接地。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于丹陽恒芯電子有限公司,未經丹陽恒芯電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711010232.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





