[發(fā)明專利]一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711009629.2
• 申請(qǐng)日: 2017-10-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107863340B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金慧俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示屏或觸摸屏已經(jīng)廣泛應(yīng)用于人們的生活中，其中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，也已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于市場(chǎng)中。

為了實(shí)現(xiàn)顯示功能，在顯示面板上分布著多種信號(hào)線，如柵線、數(shù)據(jù)線等，并且為了增加信號(hào)線的傳輸能力，避免靜電荷對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊懀话阍谛盘?hào)線的末端設(shè)置靜電防護(hù)電路，用于釋放信號(hào)線上的靜電荷；然而，由于現(xiàn)有的靜電防護(hù)電路釋放靜電荷的作用有限，使得信號(hào)線上積累的靜電荷不能迅速地被釋放掉，從而容易引起顯示面板的損壞。

基于此，如何快速地將信號(hào)線上積累的靜電荷釋放掉，在保證顯示面板不被損壞的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的如何快速地將信號(hào)線上積累的靜電荷釋放掉，在保證顯示面板不被損壞的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸?shù)膯?wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：

顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域；

第一信號(hào)線；

位于所述非顯示區(qū)域的靜電防護(hù)電路，所述靜電防護(hù)電路包括：至少一個(gè)第一薄膜晶體管和至少一個(gè)第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別與所述第一信號(hào)線電連接，其中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管不同時(shí)導(dǎo)通；

所述第一薄膜晶體管包括第一有源層，所述第一有源層的材料包括多晶硅，所述第二薄膜晶體管包括第二有源層，所述第二有源層的材料包括多晶硅；

位于所述顯示區(qū)域的多個(gè)第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管包括第三有源層，所述第三有源層的材料包括非晶硅。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成非晶硅半導(dǎo)體層；

在所述非顯示區(qū)域內(nèi)，對(duì)所述非晶硅半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化和晶化以形成所述第一有源層和所述第二有源層；

在所述顯示區(qū)域內(nèi)，對(duì)所述非晶硅半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化以形成第三有源層；

在所述襯底基板上形成所述第一信號(hào)線。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置，通過(guò)對(duì)靜電防護(hù)電路中的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的設(shè)置，使得第一薄膜晶體管中的第一有源層，與第二薄膜晶體管中的第二有源層的材料均包括多晶硅，因此，提高了第一有源層和第二有源層的電子遷移率，進(jìn)而提高了第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)特性，使得信號(hào)線上的靜電荷可以迅速地被釋放掉，保證信號(hào)正常傳輸?shù)耐瑫r(shí)，降低了信號(hào)傳輸?shù)难舆t現(xiàn)象，從而有效提高了顯示面板的效果。

附圖說(shuō)明

圖1至圖3分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4至圖7分別為第一有源層和第二有源層的外邊緣形狀的示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例中提供的底柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例中提供的頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10至圖12分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的靜電防護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例中提供的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖14a、圖14b分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的陣列基板在不同制作步驟時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明實(shí)施例中提供的激光退火工藝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明實(shí)施例中提供的激光退火工藝中采用的掩膜版的俯視圖；

圖17為圖16中CD處的截面示意圖；

圖18為本發(fā)明實(shí)施例中提供的各微透鏡工作過(guò)程的示意圖；

圖19為本發(fā)明實(shí)施例中提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；