[發(fā)明專利]一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711009629.2 | 申請日: | 2017-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN107863340B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金慧俊 | 申請(專利權(quán))人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域;
第一信號線;
位于所述非顯示區(qū)域的靜電防護電路,所述靜電防護電路包括:至少一個第一薄膜晶體管和至少一個第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別與所述第一信號線電連接,其中,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管不同時導(dǎo)通;
所述第一薄膜晶體管包括第一有源層,所述第一有源層的材料包括多晶硅,所述第二薄膜晶體管包括第二有源層,所述第二有源層的材料包括多晶硅;
位于所述顯示區(qū)域的多個第三薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管包括第三有源層,所述第三有源層的材料包括非晶硅。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一有源層和所述第二有源層的外邊緣形狀包括矩形、圓角矩形、圓形或者橢圓形中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一有源層的電子遷移率與所述第三有源層的電子遷移率之比不小于10;
所述第二有源層的電子遷移率與所述第三有源層的電子遷移率之比不小于10。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第三有源層的電子遷移率不小于0.2平方厘米/(伏·秒)且不大于1.5平方厘米/(伏·秒);
所述第一有源層和所述第二有源層的電子遷移率均不小于10平方厘米/(伏·秒)且不大于100平方厘米/(伏·秒)。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一有源層和/或所述第二有源層的面積小于所述第三有源層的面積。
6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一有源層和/或所述第二有源層的厚度小于所述第三有源層的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一有源層和/或所述第二有源層的厚度小于
8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一有源層位于所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的第一極之間的膜層;
所述第二有源層位于所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的第一極之間的膜層。
9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:位于所述非顯示區(qū)域且與所述靜電防護電路電連接的一條總線;
所述第一薄膜晶體管的柵極和第一極均與所述第一信號線電連接,所述第一薄膜晶體管的第二極與所述總線電連接,所述第二薄膜晶體管的柵極和第一極均與所述總線電連接,所述第二薄膜晶體管的第二極與所述第一信號線電連接;
所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管的類型相同。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述總線為公共電壓信號線;
所述第一信號線包括位于所述顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線以及位于所述非顯示區(qū)域數(shù)據(jù)信號測試線中的一種或多種。
11.如權(quán)利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述總線為靜電短路環(huán),所述靜電短路環(huán)上連接有固定電位;
所述第一信號線包括位于所述顯示區(qū)域的柵線。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述靜電短路環(huán)接地。
13.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶體管的柵極和第一極分別與所述靜電防護電路的第一端電連接,所述第一薄膜晶體管的第二極與所述靜電防護電路的第二端電連接,所述第二薄膜晶體管的柵極和第一極分別與所述靜電防護電路的第二端電連接,所述第二薄膜晶體管的第二極與所述靜電防護電路的第一端電連接,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管的類型相同;
所述第一信號線包括位于所述非顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)信號測試線,所述陣列基板還包括設(shè)置于所述非顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)信號測試開關(guān)晶體管,所述數(shù)據(jù)信號測試開關(guān)晶體管的第一極和第二極分別與所述數(shù)據(jù)信號測試線和數(shù)據(jù)線電連接;
所述靜電防護電路包括第一靜電防護電路,所述第一靜電防護電路的第一端和第二端分別與相鄰的兩條所述數(shù)據(jù)信號測試線電連接,任意相鄰的兩條所述數(shù)據(jù)信號測試線均通過一個所述第一靜電防護電路電連接;
所述靜電防護電路還包括第二靜電防護電路,所述第二靜電防護電路的第一端與一條所述數(shù)據(jù)信號測試線電連接,所述第二靜電防護電路的第二端與公共電壓信號線電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





