[發(fā)明專利]一種新型的單晶硅切割平臺

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711006710.5
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN107696309A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王志勇;吳濤;劉瑞鵬;劉建強;崔朝坤
• 申請（專利權(quán)）人: 寧晉晶興電子材料有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04
• 代理公司: 河北東尚律師事務(wù)所13124
• 代理人: 王文慶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于硅晶單元制備裝置領(lǐng)域，特別涉及專門用于盛放單晶硅的包裝盒體。

背景技術(shù)

硅棒在制備過程中需要進行切方，現(xiàn)有技術(shù)一般都是采用磁吸閥，進行吸但是電磁吸閥在吸和過程中，容易受到斷電或者電力波動的影響，容易出現(xiàn)吸力失穩(wěn)的情況，底座出現(xiàn)失穩(wěn)會大大影響切割的穩(wěn)定性，導(dǎo)致線痕的產(chǎn)生，因此需要提供一種新型的切割平臺，并且電磁閥吸和底座部件較多，重量大并且較厚，占據(jù)空間較大，單次切割對棒料的長度限制較大無法切割長棒料。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中電磁吸和閥座容易失穩(wěn)，且電磁吸和組件占據(jù)空間體積大的問題，而提供了一種新型的硅棒底座，新型的硅棒底座采用固定式卡槽式結(jié)構(gòu)，固定效果好。

一種新型的單晶硅切割平臺，其包括承載臺，在承載臺上設(shè)有相對稱的導(dǎo)向沿5，位于導(dǎo)向沿之間設(shè)有一滑移托臺2，在滑移托臺的上表面設(shè)有多個用于與晶托相固定吻合的晶托槽3。

進一步的，與滑移托臺四周相對應(yīng)的在承載臺設(shè)置有多個立塊1，每個立塊上都螺接有一固定螺栓，每個固定螺栓都穿設(shè)至滑移托臺的對應(yīng)端面。

進一步的，位于承載臺底部設(shè)有兩個對稱設(shè)置的錐孔。

進一步的，所述的晶托槽為帶有一條形卡槽的圓形槽孔4，條形卡槽與圓形槽孔的外緣相接。

進一步的，所述的滑移托臺配裝承載臺的總高度為50mm。

進一步的，所述的滑移托臺剛好嵌合在兩個導(dǎo)向沿之間且能自由滑移。

本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果：

通過采用滑移托臺2搭配承載臺的結(jié)構(gòu)形式，可以大大縮減厚度，，將厚度控制在50mm，可以制備長棒料。

通過設(shè)置多個固定螺栓，可以更改滑移托臺的居中位置，便于調(diào)整中心。

底部采用圓錐形孔槽，配裝吻合效果佳，固定效果平穩(wěn)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明俯視圖；

圖2為本發(fā)明軸視圖；

附圖標(biāo)記說明：立塊1、滑移托臺2、晶托槽3、錐孔4、導(dǎo)向沿5。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖1-2對本發(fā)明做進一步詳細說明。

一種新型的單晶硅切割平臺，其包括承載臺，承載臺為方形臺，在承載臺兩側(cè)上相對稱的設(shè)有導(dǎo)向沿5，位于導(dǎo)向沿之間在承載臺上設(shè)有一滑移托臺2，所述的滑移托臺為扁臺體，滑移托臺剛好嵌合在兩個導(dǎo)向沿之間，滑移托臺與導(dǎo)向沿間隙配合以保持自由滑移能力。

位于滑移托臺的上表面開有多個用于與晶托相固定吻合的晶托槽3。

滑移托臺四周相對應(yīng)的在承載臺的四個端面上各設(shè)有兩個立塊1，每個立塊上都螺接有一固定螺栓，其中與導(dǎo)軌相對應(yīng)的固定螺栓穿過導(dǎo)軌抵至滑移托臺2側(cè)面，另外兩側(cè)的固定螺栓抵至另外兩側(cè)的滑移托臺的對應(yīng)端面，位于承載臺底部設(shè)有兩個對稱設(shè)置的錐孔以與固定設(shè)置的錐塊相契合，所述的晶托槽4為帶有一條形卡槽的圓形槽孔，條形卡槽與圓形槽孔的外緣相接，晶托上帶有與條形卡槽相對應(yīng)的卡板，晶托剛好嵌合在圓形槽孔中通過卡板與條形卡槽的嵌合以保持。

所述的滑移托臺配裝承載臺的總高度為50mm。

在使用過程中，首先在每個晶托槽內(nèi)都卡入有一晶托，將承載臺通過錐塊進行固定，之后通過固定螺栓對滑移托臺2進行居中調(diào)心，調(diào)整完成后，進行切割工作。