[發明專利]LELE雙重圖形工藝方法

有效

• 申請號: 201711002190.0
• 申請日: 2017-10-24
• 公開（公告）號: CN109696797B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 閆觀勇;李亮;陳嘯
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明揭示了一種LELE雙重圖形工藝方法，所述LELE雙重圖形工藝方法包括：提供用于轉印至晶圓的設計圖形，所述設計圖形包括多個子圖形；對所述設計圖形進行第一次分解，使得至少兩個子圖形分解以滿足曝光工藝承受能力；對所述設計圖形進行第二次分解，使得至少兩個子圖形分解以改善OPC異常，所述第二次分解后，所述多個子圖形分為兩組子圖形；將每一組子圖形分別制作成一個掩膜版；以及分別以獲得的掩膜版對所述晶圓進行光刻刻蝕。由此，通過兩次分解，既滿足了光刻機的曝光承受能力，又避免子圖形之間的相互影響而造成的OPC異常，從而進行曝光時，能夠改善圖形失真的情況，使得光刻圖形更貼近設計圖形，可以提高光刻質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種LELE雙重圖形工藝方法。

背景技術

隨著電路集成度的提高和規模的增大，電路中的單元器件尺寸不斷縮小，對集成電路制造工藝的要求不斷提高，例如關鍵尺寸持續減小，芯片制造對光刻分辨率要求越來越高。

對于28nm節點以下的設計，采用193nm的浸沒式單次曝光技術已經無法滿足要求，而極紫外(EUV)光刻技術仍存在很多問題。因此，想要繼續使用ArF(氟化氬)光源進行曝光，只能夠使用雙重甚至多重圖形技術來完成光刻圖形的轉移。以雙重圖形技術(DPT)為例，主要包括兩類，一類是曝光-刻蝕-曝光-刻蝕(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)，即將設計圖形分解成兩套獨立的低密度圖形，通過兩次曝光兩次刻蝕，將電路轉移至晶圓上；另一類是自對準雙重曝光技術(SADP)，但是對于圖形多二維設計的邏輯版圖，SADP并不適用，只能夠采用LELE方式。

但是，LELE方式中對設計圖形的分解有一定的要求，分解后很容易導致OPC(光學臨近修正)異常。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LELE雙重圖形工藝方法，改善圖形分解時導致的OPC異常的情況，提高曝光質量。

為解決上述技術問題，本發明提供一種LELE雙重圖形工藝方法，包括：

提供用于轉印至晶圓的設計圖形，所述設計圖形包括多個子圖形；

對所述設計圖形進行第一次分解，使得至少兩個子圖形分解以滿足曝光工藝承受能力；

對所述設計圖形進行第二次分解，使得至少兩個子圖形分解以改善OPC異常，所述第二次分解后，所述設計圖形的子圖形分為兩組子圖形；

根據每一組子圖形分別制作成掩膜版；以及

先后以獲得的掩膜版對所述晶圓進行光刻刻蝕，以將所述設計圖形轉印至晶圓。

可選的，對于所述的LELE雙重圖形工藝方法，對所述設計圖形進行第一次分解的步驟包括：

在所述設計圖形中需要分解的子圖形之間引入第一分解標記。

可選的，對于所述的LELE雙重圖形工藝方法，對所述設計圖形進行第二次分解的步驟包括：

在第一次分解后的所述設計圖形中影響OPC異常的相鄰子圖形之間引入第二分解標記；

移除妨礙所述多個子圖形分解為兩組的第二分解標記；以及

以所述第一分解標記和剩余的第二分解標記為基礎將所述多個子圖形分為兩組子圖形。

可選的，對于所述的LELE雙重圖形工藝方法，所述第一分解標記和第二分解標記皆包括帶信息的圖形結構和/或不帶信息的圖形結構。

可選的，對于所述的LELE雙重圖形工藝方法，所述不帶信息的圖形結構包括連線。

可選的，對于所述的LELE雙重圖形工藝方法，所述連線連接相鄰子圖形的中心。