[發明專利]LELE雙重圖形工藝方法有效
| 申請號: | 201711002190.0 | 申請日: | 2017-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN109696797B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 閆觀勇;李亮;陳嘯 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 300385 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | lele 雙重 圖形 工藝 方法 | ||
1.一種LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,包括:
提供用于轉印至晶圓的設計圖形,所述設計圖形包括多個子圖形;
對所述設計圖形進行第一次分解,使得至少兩個子圖形分解以滿足曝光工藝承受能力,其中對所述設計圖形進行第一次分解的步驟包括:在所述設計圖形中需要分解的子圖形之間引入第一分解標記;
對所述設計圖形進行第二次分解,使得至少兩個子圖形分解以改善OPC異常,所述第二次分解后,所述設計圖形的子圖形分為兩組子圖形,其中對所述設計圖形進行第二次分解的步驟包括:在第一次分解后的所述設計圖形中影響OPC異常的相鄰子圖形之間引入第二分解標記;移除妨礙所述多個子圖形分解為兩組的第二分解標記;以及以所述第一分解標記和剩余的第二分解標記為基礎將所述多個子圖形分為兩組子圖形;
根據每一組子圖形分別制作成掩膜版;以及
先后以獲得的掩膜版對所述晶圓進行光刻刻蝕,以將所述設計圖形轉印至晶圓。
2.如權利要求1所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,所述第一分解標記和第二分解標記皆包括帶信息的圖形結構和/或不帶信息的圖形結構。
3.如權利要求2所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,所述不帶信息的圖形結構包括連線。
4.如權利要求3所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,所述連線連接相鄰子圖形的中心。
5.如權利要求2所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,第一分解標記和第二分解標記采用不同的圖形結構。
6.如權利要求1所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,所述第一次分解針對間距小于設定值的相鄰子圖形。
7.如權利要求6所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,所述設定值的表達式為2Kλ/NA,其中,K為光刻工藝因子,λ為光刻曝光波長,NA為光刻機的數值孔徑。
8.如權利要求1所述的LELE雙重圖形工藝方法,其特征在于,將每一組子圖形分別制作成一個掩膜版的步驟包括:對每一組子圖形進行OPC修正。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





