[發明專利]發光二極管芯片的制造方法

在審

• 申請號: 201711000328.3
• 申請日: 2017-10-24
• 公開（公告）號: CN108023005A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 岡村卓;北村宏
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供能夠得到充分的亮度的發光二極管芯片的制造方法。該方法具有如下的工序：晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體成長用透明基板上具有層疊體層，在層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路，其中，該層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層；一體化工序，將在內部形成有多個氣泡的透明基板的正面粘貼在晶片的背面上而形成一體化晶片；透明基板加工工序，在實施了一體化工序之后，在一體化晶片的透明基板的背面上與晶片的各LED電路對應地形成多個凹坑；以及分割工序，在實施了透明基板加工工序之后，沿著分割預定線將晶片與透明基板一起切斷而將一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

技術領域

本發明涉及發光二極管芯片的制造方法。

背景技術

在藍寶石基板、GaN基板、SiC基板等晶體成長用基板的正面上形成有層疊體層，該層疊體層通過將n型半導體層、發光層和p型半導體層層疊多層而形成，將在該層疊體層上由交叉的多條分割預定線劃分出的區域內形成有多個LED(Light Emitting Diode：發光二極管)等發光器件的晶片沿著分割預定線切斷而分割成各個發光器件芯片，分割得到的發光器件芯片被廣泛地應用在移動電話、個人計算機、照明設備等各種電子設備中。

由于從發光器件芯片的發光層射出的光具有各向同性，所以光也會照射到晶體成長用基板的內部而也從基板的背面和側面射出。然而，在照射到基板的內部的光中，由于基板與空氣層的界面處的入射角為臨界角以上的光在界面上發生全反射而被關在基板內部，不會從基板射出到外部，所以存在導致發光器件芯片的亮度降低的問題。

為了解決該問題，在日本特開2014-175354號公報中記載了如下的發光二極管(LED)：為了抑制從發光層射出的光被關在基板的內部，將透明部件粘貼在基板的背面上而實現亮度的提高。

專利文獻1：日本特開2014-175354號公報

然而，在專利文獻1所公開的發光二極管中，存在如下問題：雖然通過將透明部件粘貼在基板的背面而稍微提高了亮度，但無法得到充分的亮度。

發明內容

本發明是鑒于這樣的點而完成的，其目的在于，提供能夠得到充分的亮度的發光二極管芯片的制造方法。

根據本發明，提供發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體成長用透明基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層；一體化工序，將在內部形成有多個氣泡的透明基板的正面粘貼在該晶片的背面上而形成一體化晶片；透明基板加工工序，在實施了該一體化工序之后，在該一體化晶片的該透明基板的背面上與該晶片的各LED電路對應地形成多個凹坑；以及分割工序，在實施了該透明基板加工工序之后，沿著該分割預定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

優選在透明基板加工工序中形成的凹坑的截面形狀為三角形、四邊形或圓形中的任意形狀。優選在透明基板加工工序中形成的凹坑通過蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成。

優選該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中通過透明粘接劑將該透明基板粘接在晶片上。

關于本發明的發光二極管芯片，由于在粘貼于LED的背面上的、在內部具有多個氣泡的透明部件的背面上形成有凹坑，所以透明部件的表面積增大，而且從LED的發光層照射并進入到透明部件的光的一部分在向外部射出時，在凹坑部分復雜地折射而射出。因此，在從透明部件射出時，透明部件與空氣層的界面處的入射角為臨界角以上的光的比例減少，從透明部件射出的光的量增大而使發光二極管芯片的亮度提高。

附圖說明

圖1是光器件晶片的正面側立體圖。