[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711000328.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-24
• 公開（公告）號(hào): CN108023005A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡村卓;北村宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：

晶片準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備如下的晶片：該晶片在晶體成長(zhǎng)用透明基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發(fā)光層在內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體層；

一體化工序，將在內(nèi)部形成有多個(gè)氣泡的透明基板的正面粘貼在該晶片的背面上而形成一體化晶片；

透明基板加工工序，在實(shí)施了該一體化工序之后，在該一體化晶片的該透明基板的背面上與該晶片的各LED電路對(duì)應(yīng)地形成多個(gè)凹坑；以及

分割工序，在實(shí)施了該透明基板加工工序之后，沿著該分割預(yù)定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個(gè)發(fā)光二極管芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其中，

在該透明基板加工工序中形成的所述凹坑的截面形狀為三角形、四邊形以及圓形中的任意形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其中，

在該透明基板加工工序中，通過蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成所述凹坑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其中，

該透明基板由透明陶瓷、光學(xué)玻璃、藍(lán)寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中使用透明粘接劑將該透明基板粘貼在該晶片上。