[發明專利]發光二極管芯片的制造方法在審
| 申請號： | 201711000328.3 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN108023005A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 岡村卓;北村宏 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帥;喬婉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 芯片 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：
晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體成長用透明基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上由互相交叉的多條分割預定線劃分出的各區域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發光層在內的多個半導體層；
一體化工序，將在內部形成有多個氣泡的透明基板的正面粘貼在該晶片的背面上而形成一體化晶片；
透明基板加工工序，在實施了該一體化工序之后，在該一體化晶片的該透明基板的背面上與該晶片的各LED電路對應地形成多個凹坑；以及
分割工序，在實施了該透明基板加工工序之后，沿著該分割預定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，
在該透明基板加工工序中形成的所述凹坑的截面形狀為三角形、四邊形以及圓形中的任意形狀。
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，
在該透明基板加工工序中，通過蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成所述凹坑。
4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，
該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中使用透明粘接劑將該透明基板粘貼在該晶片上。
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