[發(fā)明專利]注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)和含該結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710998688.0 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107863384A | 公開(公告)日: | 2018-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蒲紅斌;王曦;陳春蘭 | 申請(專利權(quán))人: | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L29/74 | 分類號: | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所61214 | 代理人: | 王奇 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 注入 增強(qiáng) 緩沖 結(jié)構(gòu) sic 觸發(fā) 晶閘管 | ||
1.一種注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu),其特征在于:包括上緩沖區(qū)即第一外延層(3),該上緩沖區(qū)材料為n型SiC,厚度為0.1μm-2.9μm,上下端表面積為1μm2-2000cm2;
緊鄰上緩沖區(qū)的下方為下緩沖區(qū)即第二外延層(2),該下緩沖區(qū)的材料為n型SiC,厚度為0.1μm-2.9μm,上下端表面積為1μm2-2000cm2;
上緩沖區(qū)與下緩沖區(qū)相連,其中上緩沖區(qū)的施主雜質(zhì)摻雜濃度大于下緩沖區(qū)的施主摻雜濃度。
2.一種含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:包括襯底(4),在襯底(4)下表面制作有第一外延層(3),在第一外延層(3)下表面制作有第二外延層(2),在第二外延層(2)下表面制作有第三外延層(1);
在襯底(4)上表面制作有第四外延層(5),在第四外延層(5)上表面制作有第五外延層(6),
在襯底(4)上部鑲嵌有結(jié)終端(9),并且結(jié)終端(9)位于第四外延層(5)的末端之外;
還包括絕緣介質(zhì)薄膜(7),絕緣介質(zhì)薄膜(7)覆蓋在第五外延層(6)的各個凸臺側(cè)壁、各個凸臺之間的第四外延層(5)表面、第四外延層(5)末端側(cè)壁、結(jié)終端(9)表面、以及結(jié)終端(9)末端之外襯底(4)的表面,絕緣介質(zhì)薄膜(7)位于各個凸臺之間的部分的高度低于凸臺的上端面;
在第五外延層(6)的各個凸臺上端面覆蓋有陰極(8);
在第三外延層(1)下端面覆蓋有陽極(10)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的襯底(4)的材料為n型SiC,該襯底(4)的厚度為100μm-1mm,該襯底(4)的上下端表面積為1μm2-2000cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的第三外延層(1)的材料為p型SiC,該第三外延層(1)的厚度為0.1μm-10μm,該第三外延層(1)的上下端表面積為1μm2-2000cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的第四外延層(5)的材料為p型SiC,該第四外延層(5)的厚度為0.1μm-3μm,該第四外延層(5)的上下端表面積為1μm2-2000cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的第五外延層(6)分為多個凸臺,每個凸臺的側(cè)壁為平面,該第五外延層(6)的材料為n型SiC,該第五外延層(6)的厚度為0.1μm-10μm,該第五外延層(6)的上下端表面積為1μm2-2000cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的結(jié)終端(9)呈p型,其厚度不大于1μm,寬度為1μm-1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的絕緣介質(zhì)薄膜(7)厚度為0.1μm-2μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的陰極(8)由陰極金屬與陰極壓焊塊組成,陰極壓焊塊覆蓋在陰極金屬的上表面,厚度為0.1μm-100μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含注入增強(qiáng)緩沖層結(jié)構(gòu)的SiC光觸發(fā)晶閘管,其特征在于:所述的陽極(10)由陽極金屬與陽極壓焊塊組成,陽極壓焊塊覆蓋在陽極金屬的下端面,厚度為0.1μm-100μm。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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