[發明專利]光罩優化方法和光學臨近修正方法

有效

• 申請號: 201710995774.6
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN109696796B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 張敏;杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;卜璐璐

本發明提供一種光罩優化方法和光學臨近修正方法。所述光罩優化方法包括：從光學臨近修正后產生的圖形中查找待移除圖形，所述待移除圖形的兩個相對的邊緣之間的距離小于預定閾值；以及從所述光學臨近修正后產生的圖形中移除所有所述待移除圖形。本發明所提供的光罩優化方法和光學臨近修正方法在光學臨近修正階段系統地移除圖形中的凸出或凹入部分，使得最終的光罩圖案不存在小寬度曝光單元，從而可以減少光罩制造機的錯誤，提高光刻曝光的穩定性和質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種光罩(mask)優化方法和光學臨近修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法。

背景技術

光學臨近修正系統設置對初始設計的偏差以形成最終的光罩圖案。隨后，光罩制造機(mask writer)使用電子束將光學臨近修正系統形成的光罩圖案轉移到光罩來制作光罩。在制造光罩的過程中，需要把光罩的圖形數據打碎(fracture，也稱為切分)成一個一個的曝光單元(shot)，然后對逐個曝光單元進行曝光以形成最終的光罩。

然而，如果光學臨近修正系統形成的光罩圖案包括凸出或凹入部分(稱為jogshift)，即圖形兩個平行的對邊相互投影時沒有形成重合的那一段投影區域(大部分情況是兩個對邊長短不一樣或者兩個對邊存在一定程度的錯位引起的)，由于jog shift非常小的寬度(因此jog shift也可稱為小寬度曝光單元)，將給光罩制造機制造光罩帶來巨大麻煩。

發明內容

為了解決上述問題而提出了本發明。根據本發明的一方面，提供了一種光罩優化方法，所述光罩優化方法包括：從光學臨近修正后產生的圖形中查找待移除圖形，所述待移除圖形的兩個相對的邊緣之間的距離小于預定閾值；以及從所述光學臨近修正后產生的圖形中移除所有所述待移除圖形。

在本發明的一個實施例中，所述移除所有所述待移除圖形包括針對每一個待移除圖形執行以下的操作：查找與該待移除圖形相鄰的第一相鄰圖形和第二相鄰圖形，其中，所述第一相鄰圖形的第一邊緣與該待移除圖形的所述兩個相對的邊緣中的一邊緣重合，所述第二相鄰圖形的第二邊緣與該待移除圖形的所述兩個相對的邊緣中的另一邊緣重合；以及將所述第一相鄰圖形的第一邊緣和所述第二相鄰圖形的第二邊緣朝著彼此移動，直到所述第一邊緣和所述第二邊緣重合為止。

在本發明的一個實施例中，所述第一邊緣和所述第二邊緣移動的距離相等。

在本發明的一個實施例中，所述第一邊緣和所述第二邊緣移動的距離不相等。

在本發明的一個實施例中，所述預定閾值的取值范圍為15納米到25納米。

在本發明的一個實施例中，所述預定閾值為20納米。

在本發明的一個實施例中，所述光罩優化方法還包括：在移除所有所述待移除圖形之后，進行光學臨近修正修復和光學臨近修正驗證。

在本發明的一個實施例中，所述光罩優化方法還包括：將所述光學臨近修正驗證之后得到的圖形切分為多個曝光單元，并由光罩制造機對所述多個曝光單元逐個曝光以完成整個光罩的曝光。

在本發明的一個實施例中，所述光學臨近修正為基于模型的光學臨近修正。

根據本發明的另一方面，提供了一種光學臨近修正方法，所述光學臨近修正方法包括光學臨近修正建模步驟、光罩優化步驟、光學臨近修正修復步驟以及光學臨近修正驗證步驟，其中，所述光罩優化步驟實施上面所述的光罩優化方法。

本發明所提供的光罩優化方法和光學臨近修正方法在光學臨近修正階段系統地移除圖形中的凸出或凹入部分(jog shift)，使得最終的光罩圖案不存在小寬度曝光單元，從而可以減少光罩制造機的錯誤，提高光刻曝光的穩定性和質量。

附圖說明