[發(fā)明專利]光罩優(yōu)化方法和光學(xué)臨近修正方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710995774.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109696796B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張敏;杜杳雋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;卜璐璐

1.一種光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述光罩優(yōu)化方法包括：

從光學(xué)臨近修正后產(chǎn)生的圖形中查找待移除圖形，所述待移除圖形的兩個(gè)相對(duì)的邊緣之間的距離小于預(yù)定閾值；以及

從所述光學(xué)臨近修正后產(chǎn)生的圖形中移除所有所述待移除圖形；

所述移除所有所述待移除圖形包括針對(duì)每一個(gè)待移除圖形執(zhí)行以下的操作：

查找與該待移除圖形相鄰的第一相鄰圖形和第二相鄰圖形，其中，所述第一相鄰圖形的第一邊緣與該待移除圖形的所述兩個(gè)相對(duì)的邊緣中的一邊緣重合，所述第二相鄰圖形的第二邊緣與該待移除圖形的所述兩個(gè)相對(duì)的邊緣中的另一邊緣重合；以及

將所述第一相鄰圖形的第一邊緣和所述第二相鄰圖形的第二邊緣朝著彼此移動(dòng)，直到所述第一邊緣和所述第二邊緣重合為止。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一邊緣和所述第二邊緣移動(dòng)的距離相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一邊緣和所述第二邊緣移動(dòng)的距離不相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述預(yù)定閾值的取值范圍為15納米到25納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述預(yù)定閾值為20納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述光罩優(yōu)化方法還包括：

在移除所有所述待移除圖形之后，進(jìn)行光學(xué)臨近修正修復(fù)和光學(xué)臨近修正驗(yàn)證。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述光罩優(yōu)化方法還包括：

將所述光學(xué)臨近修正驗(yàn)證之后得到的圖形切分為多個(gè)曝光單元，并由光罩制造機(jī)對(duì)所述多個(gè)曝光單元逐個(gè)曝光以完成整個(gè)光罩的曝光。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩優(yōu)化方法，其特征在于，所述光學(xué)臨近修正為基于模型的光學(xué)臨近修正。

9.一種光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，所述光學(xué)臨近修正方法包括光學(xué)臨近修正建模步驟、光罩優(yōu)化步驟、光學(xué)臨近修正修復(fù)步驟以及光學(xué)臨近修正驗(yàn)證步驟，其中，所述光罩優(yōu)化步驟實(shí)施權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的光罩優(yōu)化方法。