[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法、電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710994881.7
• 申請(qǐng)日: 2017-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109698183A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊偉華;張傳寶;杜亞;王奇峰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法、電子裝置，所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底上的次頂部金屬層和頂部金屬層；位于所述次頂部金屬層和頂部金屬層之間的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中形成有導(dǎo)電通孔，用以電連接所述次頂部金屬層和頂部金屬層；位于所述頂部金屬層之上的焊盤(pán)；以及覆蓋所述焊盤(pán)的鈍化層，所述鈍化層具有露出部分所述焊盤(pán)的開(kāi)口；其中，所述導(dǎo)電通孔形成在所述開(kāi)口垂直下方以外的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法，減少了半導(dǎo)體器件在鍵合過(guò)程中焊盤(pán)和頂部金屬層剝落的風(fēng)險(xiǎn)，增加了焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法、電子裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體芯片的封裝通過(guò)在芯片上形成電路導(dǎo)通的焊盤(pán)將芯片連接到芯片封裝的外部原件。目前，半導(dǎo)體領(lǐng)域多采用引線(xiàn)鍵合將與頂部金屬層相連接的焊盤(pán)與外部電路導(dǎo)通。在引線(xiàn)鍵合工藝中，通常采用位于頂部金屬層底部的通孔陣列將頂部金屬層與次頂部金屬層相連，一方面頂部金屬層與下部的互連層進(jìn)行電連接，另一方面用以固定焊盤(pán)。

然而，在引線(xiàn)鍵合工藝過(guò)程中，焊盤(pán)在引線(xiàn)拉力的作用下，位于頂部金屬層和次頂部金屬層之間的通孔陣列與所述次頂部金屬層之間的連接點(diǎn)處往往發(fā)生斷裂，造成焊盤(pán)和頂層金屬的變形或脫落。

為此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底上的次頂部金屬層和頂部金屬層；

位于所述次頂部金屬層和頂部金屬層之間的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中形成有導(dǎo)電通孔，用以電連接所述次頂部金屬層和頂部金屬層；

位于所述頂部金屬層之上的焊盤(pán)；以及

覆蓋所述焊盤(pán)的鈍化層，所述鈍化層具有露出部分所述焊盤(pán)的開(kāi)口；

其中，所述導(dǎo)電通孔形成在所述開(kāi)口垂直下方以外的區(qū)域，用以電連接所述次頂部金屬層和頂部金屬層。

示例性的，所述層間介質(zhì)層為二氧化硅層。

示例性的，所述次頂部金屬層和所述頂部金屬層為板狀結(jié)構(gòu)。

示例性的，所述次頂部金屬層和所述頂部金屬層位于所述焊盤(pán)的垂直下方，所述開(kāi)口在垂直方向上的投影位于所述頂部金屬層和所述次頂部金屬層上。

示例性的，所述導(dǎo)電通孔形成在所述開(kāi)口垂直投影區(qū)域的四周。

示例性的，還包括位于所述鈍化層與頂部金屬層之間的另一鈍化層，所述另一鈍化層具有露出部分所述頂部金屬層的另一開(kāi)口，所述焊盤(pán)填充所述另一開(kāi)口以及部分覆蓋所述另一鈍化層。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成次頂部金屬層；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋所述次頂部金屬層；

在所述層間介質(zhì)層中形成導(dǎo)電通孔；

在所述層間介質(zhì)層之上形成頂部金屬層；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成焊盤(pán)，所述焊盤(pán)位于所述頂部金屬層的上部并與所述頂部金屬層電連接；