[發明專利]一種半導體器件和半導體器件的制造方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201710994881.7
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN109698183A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 齊偉華;張傳寶;杜亞;王奇峰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底上的次頂部金屬層和頂部金屬層；

位于所述次頂部金屬層和頂部金屬層之間的層間介質層，所述層間介質層中形成有導電通孔，用以電連接所述次頂部金屬層和頂部金屬層；

位于所述頂部金屬層之上的焊盤；以及

覆蓋所述焊盤的鈍化層，所述鈍化層具有露出部分所述焊盤的開口；

其中，所述導電通孔形成在所述開口垂直下方以外的區域。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述層間介質層為二氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述次頂部金屬層和所述頂部金屬層為板狀結構。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述次頂部金屬層和所述頂部金屬層位于所述焊盤的垂直下方，所述開口在垂直方向上的投影位于所述頂部金屬層和所述次頂部金屬層上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述導電通孔形成在所述開口的垂直投影區域的四周。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括位于所述鈍化層與頂部金屬層之間的另一鈍化層，所述另一鈍化層具有露出部分所述頂部金屬層的另一開口，所述焊盤填充所述另一開口以及部分覆蓋所述另一鈍化層。

7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成次頂部金屬層；

在所述半導體襯底上形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述次頂部金屬層；

在所述層間介質層中形成導電通孔；

在所述層間介質層之上形成頂部金屬層；

在所述半導體襯底上形成焊盤，所述焊盤位于所述頂部金屬層的上部并與所述頂部金屬層電連接；

在所述半導體襯底上形成鈍化層，所述鈍化層具有露出部分所述焊盤的開口；

其中，所述導電通孔形成在所述開口垂直下方以外的區域，用以電連接所述次頂部金屬層和頂部金屬層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成焊盤的步驟包括：

在所述半導體襯底上形成覆蓋所述頂部金屬層的另一鈍化層，所述另一鈍化層具有露出部分所述頂部金屬層的另一開口；

在所述半導體襯底上形成焊盤，所述焊盤填充所述另一開口并部分覆蓋所述另一鈍化層。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述層間介質層為二氧化硅層。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述次頂部金屬層和所述頂部金屬層為板狀結構。

11.根據權利要求10所述方法，其特征在于，所述次頂部金屬層和所述頂部金屬層位于所述焊盤的垂直下方，所述開口在垂直方向上的投影位于所述次頂部金屬層上。

12.根據權利要求11所述方法，其特征在于，所述導電通孔形成在所述開口的垂直投影區域的四周。

13.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6中的任意一項所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。