[發明專利]圖案結構以及制造該圖案結構的方法

在審

• 申請號: 201710994772.5
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107978561A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 李性勛;樸俊勇;金東郁;輩智賢;申俸受;沈東植;鄭在勝
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 弋桂芬

技術領域

示范實施方式涉及圖案結構以及制造該圖案結構的方法。

背景技術

作為代表性的圖像顯示裝置，液晶顯示器(LCD)裝置正在發展為具有更大尺寸、更高分辨率和三維(3D)功能。為了滿足這些技術要求，目前在嘗試在LCD結構中采用納米級功能結構。例如，當納米級格柵形成在位于LCD面板下方的背光單元的表面上時，從背光單元的表面發出的光可以由于衍射現象而獲得方向性，因此可以實現裸眼3D電視機(TV)。此外，當LCD面板的吸收性偏振膜被線柵偏振器替代時，亮度會增大并且因此可以實現高分辨率。

為了在LCD結構中采用納米級功能結構，在顯示器級的大面積上形成半導體級的細線的技術是必要的。例如，拼接技術(tiling technology)是通過在具有半導體可加工尺寸的單位圖案結構上形成精細結構并且將多個單位圖案結構彼此物理地接合來制造大面積圖案結構中所需的技術。模具(stamp)可以通過利用形成的圖案結構作為母模而制造，并且大面積的納米級格柵或者線柵偏振器可以通過利用壓印技術而制造。

然而，在通過利用物理接合而實現的拼接技術中，縫隙在單位圖案結構之間產生。當大面積納米級格柵或者線柵偏振器利用使用拼接技術制造的圖案結構而被制造時，如果縫隙大于某一尺寸，則缺陷在顯示面板的屏幕上會是可見的。

發明內容

提供的是圖案結構和制造該圖案結構的方法。

附加的方面將在隨后的描述中被部分地闡述，并且部分將由該描述清楚或者可以通過所給出的示范實施方式的實踐而習知。

根據示范實施方式的一方面，一種用于制造圖案結構的方法包括：制備具有多個精細圖案的晶片；通過從第一表面處理晶片至第一深度而形成第一溝槽；以及通過從與第一表面相反的第二表面處理晶片至第二深度而形成連接到第一溝槽的第二溝槽，由此切割晶片。

所述多個精細圖案的每個可以形成在晶片的第一表面上。

圖案結構的切割表面可以包括由第一溝槽限定的第一切割表面以及由第二溝槽限定的第二切割表面。第一溝槽可以具有小于第二溝槽的寬度的寬度，以使得與第二切割表面相比，第一切割表面可以向外突出。

第一表面與第一切割表面之間的角度可以等于或者小于90°。第一深度可以小于第二深度。

第一溝槽可以通過利用第一刀片形成，第二溝槽可以通過利用第二刀片形成。第一刀片可以具有小于第二刀片的厚度的厚度。

第一刀片可以通過將其切割面提供為垂直于或者傾斜于晶片的第一表面來處理晶片。第二刀片可以通過將其切割面提供為垂直于或者傾斜于晶片的第二表面來處理晶片。

根據另一示范實施方式的一方面，一種圖案結構包括：在其上具有多個精細圖案的第一表面以及與第一表面相反的第二表面；以及鄰近于第一表面定位的第一切割表面和鄰近于第二表面定位的第二切割表面，其中第一切割表面和第二切割表面被提供在第一表面與第二表面之間的至少一個側表面上，其中第一切割表面與第二切割表面相比向外突出，并且其中第一表面與第一切割表面之間的角度等于或者小于90°。

第一切割表面可以具有小于第二切割表面的厚度的厚度。

根據另一示范實施方式的一方面，一種用于制造圖案結構的方法包括：制備多個組成圖案結構的每個；以及將組成圖案結構接合在一起，其中制備所述多個組成圖案結構的每個包括：制備在第一表面上具有多個精細圖案的晶片；通過從第一表面處理晶片至第一深度而形成第一溝槽；以及通過從與第一表面相反的第二表面處理晶片至第二深度而形成連接到第一溝槽的第二溝槽，由此切割晶片。

所述多個組成圖案結構的每個的切割表面可以包括由第一溝槽限定的第一切割表面以及由第二溝槽限定的第二切割表面，并且第一切割表面可以與第二切割表面相比向外突出。

第一表面與第一切割表面之間的角度可以等于或者小于90°。

第一溝槽可以通過利用第一刀片形成，第二溝槽可以通過利用第二刀片形成。第一刀片可以通過將其切割面提供為垂直于或者傾斜于晶片的第一表面來處理晶片。

將組成圖案結構接合在一起可以包括在基板上提供組成圖案結構；在組成圖案結構的相應對之間沉積液態可光固化樹脂或者熱固樹脂；在關于相鄰的組成圖案結構的預定接近度內定位每個組成圖案結構；以及通過利用紫外(UV)光或者熱，使液態可光固化樹脂或者熱固樹脂硬化。

在基板上提供組成圖案結構可以包括定位每個組成圖案結構使得每個組成圖案結構的每個切割表面面對相鄰的組成圖案結構的切割表面。