[發明專利]圖案結構以及制造該圖案結構的方法在審
| 申請號: | 201710994772.5 | 申請日: | 2017-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN107978561A | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發明(設計)人: | 李性勛;樸俊勇;金東郁;輩智賢;申俸受;沈東植;鄭在勝 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 結構 以及 制造 方法 | ||
1.一種用于制造圖案結構的方法,所述方法包括:
制備具有多個精細圖案的晶片;
通過從第一表面處理所述晶片至第一深度而形成第一溝槽;以及
通過從與所述第一表面相反的第二表面處理所述晶片至第二深度而形成第二溝槽,由此切割所述晶片。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述多個精細圖案的每個形成在所述晶片的所述第一表面上。
3.如權利要求1所述的方法,其中所述圖案結構的切割表面包括由所述第一溝槽限定的第一切割表面以及由所述第二溝槽限定的第二切割表面。
4.如權利要求3所述的方法,其中所述第一溝槽具有小于所述第二溝槽的寬度的寬度,使得所述第一切割表面與所述第二切割表面相比向外突出。
5.如權利要求4所述的方法,其中所述第一表面與所述第一切割表面之間的角度等于或者小于90°。
6.如權利要求1所述的方法,其中所述第一深度小于所述第二深度。
7.如權利要求1所述的方法,其中所述第一溝槽通過利用第一刀片形成,所述第二溝槽通過利用第二刀片形成。
8.如權利要求7所述的方法,其中所述第一刀片具有小于所述第二刀片的厚度的厚度。
9.如權利要求7所述的方法,其中所述第一刀片通過將其切割面提供為垂直于所述晶片的所述第一表面而處理所述晶片。
10.如權利要求7所述的方法,其中所述第二刀片通過將其切割面提供為垂直于所述晶片的所述第二表面而處理所述晶片。
11.一種圖案結構,包括:
在其上具有多個精細圖案的第一表面以及與所述第一表面相反的第二表面;以及
鄰近于所述第一表面定位的第一切割表面以及鄰近于所述第二表面定位的第二切割表面,
其中所述第一切割表面和所述第二切割表面被提供在所述第一表面與所述第二表面之間的至少一個側表面上,
其中所述第一切割表面與所述第二切割表面相比向外突出,以及
其中所述第一表面與所述第一切割表面之間的角度等于或者小于90°。
12.如權利要求11所述的圖案結構,其中所述第一切割表面具有小于所述第二切割表面的厚度的厚度。
13.一種用于制造圖案結構的方法,所述方法包括:
制備多個組成圖案結構的每個;以及
將所述多個組成圖案結構接合在一起,
其中制備所述多個組成圖案結構的每個包括:
制備在第一表面上具有多個精細圖案的晶片;
通過從所述第一表面處理所述晶片至第一深度而形成第一溝槽;以及
通過從與所述第一表面相反的第二表面處理所述晶片至第二深度而形成連接到所述第一溝槽的第二溝槽,由此切割所述晶片。
14.如權利要求13所述的方法,其中所述多個組成圖案結構的每個的切割表面包括由所述第一溝槽限定的第一切割表面以及由所述第二溝槽限定的第二切割表面,以及
其中所述第一切割表面與所述第二切割表面相比向外突出。
15.如權利要求14所述的方法,其中所述第一表面與所述第一切割表面之間的角度等于或者小于90°。
16.如權利要求14所述的方法,其中所述第一溝槽通過利用第一刀片形成,所述第二溝槽通過利用第二刀片形成。
17.如權利要求16所述的方法,其中所述第一刀片通過將其切割面提供為垂直于所述晶片的所述第一表面而處理所述晶片。
18.如權利要求13所述的方法,其中將所述多個組成圖案結構接合在一起包括:
在基板上提供所述多個組成圖案結構;
在所述多個組成圖案結構的相應對之間沉積液態可光固化樹脂或者熱固樹脂;
在關于相鄰的組成圖案結構的預定接近度內定位所述多個組成圖案結構的每個;以及
通過利用紫外光或者熱使得所述液態可光固化樹脂或者所述熱固樹脂硬化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





