[發明專利]一種微晶磚的生產工藝

在審

• 申請號: 201710994405.5
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107840665A
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 吳則昌;范新暉;王太華;吳柏惠;鄧榮
• 申請（專利權）人: 河源市東源鷹牌陶瓷有限公司;佛山石灣鷹牌陶瓷有限公司;佛山石灣華鵬陶瓷有限公司;鷹牌陶瓷實業(河源)有限公司
• 主分類號: C04B35/626
• 分類號: C04B35/626;C04B35/622;C04B41/89
• 代理公司: 佛山市禾才知識產權代理有限公司44379
• 代理人: 梁永健

1.一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：包括如下步驟：

(1)制漿：選取用于制備微晶磚坯的礦物原料進行配料，并加入球磨機中進行球磨獲得漿料；

(2)噴霧干燥：將漿料進行噴霧干燥獲得粉料，并在噴霧塔下的出料輸送帶處測控粉料的水分為6.8～7.4％，顆粒級配為20目＜1％、40目35～47％、80目50～62％、100目以下＜3％；

(3)壓制成型：將粉料輸送至壓機處進行布料，壓制成型，獲得磚坯；

(4)干燥：將磚坯進行干燥，并測控干燥后的磚坯的工藝參數；

(5)施釉：

a.在磚坯表面噴微晶底釉，測控釉用量為130±2g/托盤，比重為1.45±0.02g/ml；

b.在具有微晶底釉的磚坯表面根據預設計的圖案進行噴墨水；

c.在噴有墨水的磚坯表面采用100目篩絲網印保色釉，并測控比重為1.55±0.02g/ml；

d.在印有保色釉的磚坯表面噴透明釉，測控釉用量為60～70g/托盤，比重為1.47±0.02g/ml；

e.在具有透明釉的磚坯表面布熔塊，測控用量為780±20g/托盤；

f.在布有熔塊的磚坯表面噴清水甲基，測控用量為40±2g/托盤；

(6)燒成：將步驟(5)獲得的磚坯進行高溫燒制，獲得半成品磚；

(7)拋光：將半成品磚進行拋光，獲得微晶磚。

2.根據權利要求1所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(1)在球磨放漿前，還包括測控在球磨機出漿口出的漿料的工藝參數，并將漿料放入中轉池、地池或中轉缸中，并分別進行取樣檢測漿料的工藝參數；所述漿料的工藝參數包括水分、細度、流速和比重；

在球磨機出漿口出的漿料的水分控制為32～35％，細度控制為250目，篩余1.0±0.1％，流速控制為30～70s；比重控制為1.69～1.74g/ml；在中轉池、地池或中轉缸中的漿料的水分控制為32～35％，細度控制為250目，篩余0.9±0.2％，流速控制為30～70s，比重控制為1.69～1.74g/ml。

3.根據權利要求1所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(3)中，在壓制成型之前，還包括測控壓機的壓力為320-380bar，壓制獲得的磚坯厚度為13.1～13.9mm。

4.根據權利要求1所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(4)中，所述測控干燥后的的磚坯的工藝參數包括磚坯溫度和干燥強度；所述磚坯溫度為85～90℃，干燥強度為≥0.8MPa。

5.根據權利要求1所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(5)中，所述微晶底釉的細度為325目，篩余0.3～0.5％，球磨時間為8～10h；所述透明釉的細度為325目，篩余＜0.3％，球磨時間為8～10h；所述保色釉的細度為325目，篩余<0.1％，球磨時間為8～10h。

6.根據權利要求5所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(5)中，所述微晶底釉、透明釉和保色釉在進行施釉前均再過一次160目篩。

7.根據權利要求5所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(5)中，所述微晶底釉和透明釉在使用前再一次除鐵，并過兩次120目篩。

8.根據權利要求1所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：步驟(6)中，還包括測控輥道窯操作臺處的燒成的工藝參數，同時在窯尾測控半成品磚的工藝參數。

9.根據權利要求8所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：所述燒成的工藝參數包括燒成溫度、燒成變頻率、燒成時間、油壓和風壓；所述燒成溫度為1200-1230℃，燒成變頻率為19-45周頻，燒成時間為75-90分鐘，油壓為0.5-2.0MPa，風壓為0.1-1MPa。

10.根據權利要求8所述的一種微晶磚的生產工藝，其特征在于：所述半成品磚的工藝參數包括吸水率、抗折強度和厚度；所述吸水率控制為≤0.08％，抗折強度控制為≥35MPa，厚度為14.0～15.2mm。