[發明專利]自動測方阻設備有效
| 申請號: | 201710994286.3 | 申請日: | 2017-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN107591342B | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | 袁華斌 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 鄭云 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自動 測方阻 設備 | ||
本發明涉及一種自動測方阻設備,通過控制部分控制上料區將裝滿硅片的花籃輸送至下片區,下片區將花籃內的硅片逐一卸下并輸送至第一緩存區,第一緩存區將硅片輸送至校正區,校正區將硅片校正后輸送至測試區進行方阻測試,通過方阻測試完成的硅片被輸送至第二緩存區,通過控制部分控制,跟設定標準對比后通過分片區分片后,將超過設定標準上限和超過設定標準下限的硅片分出,僅將方阻測試結果在正常范圍內的硅片輸送至上片區,并通過上片區將硅片放置在花籃上,最終將裝滿硅片的花籃通過下料區輸送出去;有效避免了人工取片與測片帶來的污染、破片與劃傷的問題;自動化測試硅片方阻,大大提高了測試效率,可完成批量檢測。
技術領域
本發明涉及太陽能電池片技術領域,尤其是涉及一種自動測方阻設備。
背景技術
目前太陽能電池片領域中,制作P-N結,即擴散為太陽能電池技術的核心,擴散工藝在爐管內進行高溫同磷源進行反應,在硅片表面生成磷單質,并通過高溫與硅原子發生替換進入硅晶體內部,形成N型半導體,與之前P型硅片接觸區域形成PN結。其中,判定擴散是否優良均是通過測試硅片表面方阻來體現。目前的測試設備均需要人工進行取片、測片和放片。不光效率低,期間不免有摩擦、破損和污染等不良現象;并且目前測試均是抽檢硅片,對于未檢測到的硅片,存在方阻異常流入下道工序的可能。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:為了克服現有技術中的測試設備均需要人工進行取片、測片和放片。不光效率低,期間不免有摩擦、破損和污染等不良現象;并且目前測試均是抽檢硅片,對于未檢測到的硅片,存在方阻異常流入下道工序的問題,提供一種自動測方阻設備。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種自動測方阻設備,包括:包括上料部分、測試部分、下料部分和控制部分,所述上料部分包括上料區、下片區、第一緩存區和校正區,所述測試部分包括測試區,所述下料部分包括第二緩存區、分片區、上片區和下料區,所述上料區、下片區、第一緩存區、校正區、測試區、第二緩存區、分片區、上片區和下料區呈流水線依次設置,所述控制部分分別控制上料區、下片區、第一緩存區、校正區、測試區、第二緩存區、分片區、上片區和下料區。
本發明的自動測方阻設備,通過控制部分控制上料區將裝滿硅片的花籃輸送至下片區,下片區將花籃內的硅片逐一卸下并輸送至第一緩存區,第一緩存區將硅片輸送至校正區,校正區將硅片校正后輸送至測試區進行方阻測試,通過方阻測試完成的硅片被輸送至第二緩存區,通過控制部分控制,跟設定標準對比后通過分片區分片后,將超出超過設定標準上限和超過設定標準下限的硅片分出,僅將方阻測試結果在正常范圍內的硅片輸送至上片區,并通過上片區將硅片放置在花籃上,最終將裝滿硅片的花籃通過下料區輸送出去;通過自動化測試硅片方阻,有效避免了人工取片與測片帶來的污染、破片與劃傷的問題;自動化測試硅片方阻,大大提高了測試效率,可完成批量檢測。
進一步的,所述上料區包括傳輸裝置,兩組所述傳輸裝置上下間隔設置,所述傳輸裝置的右側固定安裝有光傳感器,所述光傳感器與所述控制部分電連接,位于上方的傳輸裝置用于輸送裝滿硅片的花籃,位于下方的傳輸裝置用于輸送空花籃。
進一步的,所述下片區包括下片裝置、夾緊裝置和輸送裝置,所述下片裝置包括聯動裝置和固定臺,所述聯動裝置驅動所述固定臺實現升降,所述夾緊裝置固定安裝在所述固定臺的上方,所述輸送裝置包括傳輸裝置和活動運輸裝置,所述傳輸裝置固定安裝在所述固定臺上,并位于所述夾緊裝置的正下方,所述活動運輸裝置位于夾緊裝置與傳輸裝置之間。
進一步的,所述第一緩存區和第二緩存區均包括聯動裝置、傳輸裝置和儲物籃,所述儲物籃罩設所述傳輸裝置,所述聯動裝置驅動所述儲物籃實現升降。
作為優選,所述儲物籃包括卡板,兩個所述卡板平行且間隔設置,所述傳輸裝置位于兩個所述卡板之間,所述卡板上開設有若干緩存槽,兩個所述卡板上的緩存槽一一對應設置,所述卡板上固定安裝有左、右光電傳感器,所述左、右光電傳感器分別位于緩存槽的兩端。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





