[發明專利]單柵極非揮發性內存的擦除方法在審
| 申請號： | 201710993967.8 | 申請日： | 2017-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN109698005A | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發明（設計）人： | 林信章;黃文謙;駱瑋彤 | 申請（專利權）人： | 億而得微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非揮發性內存 擦除 單柵極 擦除操作 擦除電壓 過度擦除 漏極電壓 施加電壓 柵極結構 浮接 漏極 | ||
【權利要求書】：
1.一種單柵極非揮發性內存的擦除方法，該非揮發性內存包括一P型半導體基底、一晶體管與一電容結構，該晶體管與該電容結構設置于該P型半導體基底，該晶體管包括一第一導電柵極與多個第一離子摻雜區，且各所述第一離子摻雜區在該第一導電柵極的兩側分別形成源極及漏極，該電容結構包括一第二離子摻雜區與一第二導電柵極，且該第一導電柵極與該第二導電柵極電連接而形成一單浮接柵極，該擦除方法包括，其特征在于：
在該P型半導體基底、該源極與該漏極上分別施加一基底電壓Vsub、一源極電壓Vs與一漏極電壓Vd，在該第一離子摻雜區上不施以電壓，并滿足下列條件：
Vd>Vs≧Vsub；及
Vsub為接地。
2.如權利要求1所述的單柵極非揮發性內存的擦除方法，其特征在于，各所述第一離子摻雜區及該第二離子摻雜區為N阱摻雜區，該電容結構為N阱電容或N阱電容。
3.如權利要求1所述的單柵極非揮發性內存的擦除方法，其特征在于，該晶體管為金氧半場效晶體管(MOSFET)。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于億而得微電子股份有限公司，未經億而得微電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710993967.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
