[發(fā)明專利]天線、用于產(chǎn)生等離子體的電路,以及等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710993086.6 | 申請日: | 2017-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN107979909B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李東協(xié);成德鏞;禹濟憲;金俸奭;李柱昊;全允珖;趙貞賢 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 邵亞麗 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 天線 用于 產(chǎn)生 等離子體 電路 以及 處理 裝置 | ||
本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供天線、等離子體產(chǎn)生電路、等離子體處理裝置以及用于使用其制造半導(dǎo)體器件的方法。電路包括產(chǎn)生射頻功率的射頻功率源、接收射頻功率以產(chǎn)生等離子體并具有第一互感的天線、以及將天線分別連接到射頻功率源的電感器。電感器具有減小和/或消除第一互感的第二互感。
相關(guān)申請的交叉引用
該申請要求于2016年10月24日和2017年8月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2016-0138589和10-2017-0098634號的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及用于制造半導(dǎo)體器件的裝置和方法,以及,更具體地,涉及用于感應(yīng)等離子體的天線、用于產(chǎn)生等離子體的電路、等離子體處理裝置以及使用其制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)
通常,半導(dǎo)體器件可以通過多個單元工藝制造。單元工藝可以包括沉積工藝、擴散工藝、熱處理工藝、光刻工藝、拋光工藝、蝕刻工藝、離子注入工藝和/或清潔工藝。這些單元工藝的蝕刻工藝可以包括干蝕刻工藝和/或濕蝕刻工藝。干蝕刻工藝可以使用等離子體來執(zhí)行。襯底可以通過等離子體在高溫下被加工或處理。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實施例可以提供等離子體產(chǎn)生電路和等離子體處理裝置,其能夠穩(wěn)定地匹配阻抗。
本發(fā)明構(gòu)思的實施例還可以提供能夠感應(yīng)均勻等離子體的天線。
在本發(fā)明構(gòu)思的一個方面,等離子體產(chǎn)生電路可以包括被配置為產(chǎn)生第一射頻功率和第二射頻功率的第一射頻功率源和第二射頻功率源、被配置為接收第一射頻功率和第二射頻功率以產(chǎn)生等離子體并具有第一互感的第一天線和第二天線、以及分別將第一天線和第二天線電連接到第一射頻功率源和第二射頻功率源的第一電感器和第二電感器。第一電感器和第二電感器可以具有第二互感以消除第一互感。
在本發(fā)明構(gòu)思的一個方面,等離子體處理裝置可以包括:腔室、被配置為將反應(yīng)氣體提供到腔室中的氣體供應(yīng)部件、以及在腔室上的并被配置為感應(yīng)腔室中的反應(yīng)氣體的等離子體的等離子體產(chǎn)生電路。等離子體產(chǎn)生電路可以包括:被配置為產(chǎn)生第一射頻功率和第二射頻功率的第一射頻功率源和第二射頻功率源、被配置為通過使用第一射頻功率和第二射頻功率來產(chǎn)生等離子體的第一天線和第二天線,第一天線和第二天線具有第一互感、以及被配置為分別將第一天線和第二天線耦合到第一射頻功率源和第二射頻功率源的第一電感器和第二電感器。第一電感器和第二電感器可以具有第二互感以消除第一互感。
在本發(fā)明構(gòu)思的一個方面,等離子體產(chǎn)生電路可以包括:被配置為產(chǎn)生射頻功率的射頻功率源、分別連接到射頻功率源的匹配電路、被配置為分別匹配射頻功率的阻抗的匹配電路、分別連接到匹配電路的天線、被配置為通過使用射頻功率來產(chǎn)生等離子體的天線,并且天線具有第一互感、被配置為將天線分別接地的電容器、被配置為控制射頻功率的阻抗的電容器、以及分別被連接在天線和匹配電路之間的電感器。電感器可以具有第二互感以消除第一互感。
在本發(fā)明構(gòu)思的一個方面,天線可以包括輸入電極、連接到輸入電極的分支電極、分別連接到分支電極的線圈電極,線圈電極沿著連接分支電極的端部的假想圓延伸、以及分別連接到線圈電極的輸出電極。輸出電極可以平行于輸入電極來布置。
在本發(fā)明構(gòu)思的一個方面,用于制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括提供襯底和在襯底上產(chǎn)生等離子體。等離子體的產(chǎn)生可以包括向布置在襯底的中心部分和邊緣部分上的第一天線和第二天線供應(yīng)第一射頻功率和第二射頻功率以通過第二互感消除第一天線和第二天線之間的第一互感,來沒有第一射頻功率和第二射頻功率的干擾地蝕刻襯底。
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