[發明專利]集成電路封裝、形成集成電路封裝的方法及內連結構

有效

• 申請號: 201710992519.6
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN108155166B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 陳潔;余振華;葉德強;陳憲偉;陳英儒
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本揭露實施例涉及一種集成電路封裝、一種形成集成電路封裝的方法及一種內連結構。本發明實施例公開一種具有提高的性能及可靠性的集成電路封裝。所述集成電路封裝包括集成電路管芯及布線結構。所述集成電路管芯包括具有周邊邊緣的導通孔。所述布線結構包括耦合到所述導通孔的導電結構。所述導電結構可包括頂蓋區、布線區以及中間區。所述頂蓋區可與所述導通孔的區域重疊。所述布線區可具有第一寬度，且所述中間區可沿所述導通孔的所述周邊邊緣具有第二寬度，其中所述第二寬度可大于所述第一寬度。所述中間區可被配置成將所述頂蓋區連接到所述布線區。

技術領域

本發明實施例是有關于一種集成電路(integrated circuit，IC)封裝、一種形成集成電路封裝的方法及一種內連結構(interconnection structure)。

背景技術

隨著集成電路技術的進步，在集成電路中具有更高的存儲容量、更快的處理系統、及更高性能的組件的需求正日益增加。為滿足這些需求，集成電路行業持續縮小例如半導體裝置(例如，金屬氧化物半導體場效晶體管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，MOSFET)，包括平面MOSFET及鰭式場效晶體管(finFET))等集成電路組件的尺寸。此種縮放也增加了對更小且可靠的半導體管芯封裝的需求。

發明內容

本發明實施例提供一種具有提高的性能及可靠性的集成電路(IC)封裝。所述集成電路封裝包括集成電路管芯及布線結構。所述集成電路管芯包括具有周邊邊緣的導通孔。所述布線結構包括耦合到所述導通孔的導電結構。所述導電結構可包括頂蓋區、布線區以及中間區。所述頂蓋區可與所述導通孔的區域重疊。所述布線區可具有第一寬度，且所述中間區可沿所述導通孔的所述周邊邊緣具有第二寬度，其中所述第二寬度可大于所述第一寬度。所述中間區可被配置成將所述頂蓋區連接到所述布線區。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本發明實施例的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是根據一些本發明實施例的集成電路封裝的側面剖視圖。

圖2及圖3是根據一些本發明實施例的集成電路封裝的各種重布線層結構的俯視圖。

圖4是根據一些本發明實施例的集成電路封裝的示例性重布線層結構的俯視圖。

圖5是根據一些本發明實施例的一種用于制作集成電路封裝的方法的流程圖。

圖6至圖11是根據一些本發明實施例的集成電路封裝處于其制造工藝的各個階段的剖視圖。

現在將參照附圖闡述說明性實施例。在附圖中，相同的參考編號一般指相同、功能上類似、及/或結構上類似的元件。

[符號的說明]

100：集成電路封裝；

101：第一集成電路封裝；

102：第二集成電路封裝；

103：封裝間連接件；

104、110、404：導通孔；

104p：周邊邊緣；

104t、108t、112t：厚度；

105、605：集成電路管芯；

106、113、713：絕緣層；

107：前側布線結構；

107s：前側布線結構的頂表面；

108、108a、108b、408、708：重布線層結構；