[發(fā)明專利]一種逆E類功率放大電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710991543.8
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107800390A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬紅玲;王巖琴;崔洪藝
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波德晶元科技有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/217;H03F3/193;H03F3/24
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)33243
• 代理人: 龍洋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及功率放大電路，尤其涉及一種逆E類功率放大電路。

背景技術(shù)

射頻功率放大器位于發(fā)射機的末端，是整個系統(tǒng)中消耗能量最多，產(chǎn)生熱量最高的單元，是通訊系統(tǒng)中的關(guān)鍵電路。射頻功率放大器工作效率直接決定了整個發(fā)射系統(tǒng)的功耗、穩(wěn)定性，以及對電源和散熱裝置的需求與限制。尤其對于電池供電的手持設(shè)備，在相同的功率輸出的條件下，射頻功率放大器效率越高，電池供電的時間越長，越是有利于手持設(shè)備的小型化。

如圖1現(xiàn)有逆E類功放的電路原理圖所示。MOS管M等效為一個理想開關(guān)，MOS管M漏極與電感L串聯(lián)之后與第一電容C1并聯(lián)；扼流圈電感L_RFC的一端與電源連接另一端連接電感L；為了防止直流分量源直接給負載供電，在負載回路上串聯(lián)了隔直電容C2(若負載為交流負載，該電容可以省略)。

在穩(wěn)態(tài)時：

若輸入信號從低電平變?yōu)楦唠娖剑琈OS管M導通，此時MOS管M上有電流經(jīng)過，電感L充電，導通的瞬間節(jié)點A點電位為0；若輸入信號從高電平變?yōu)榈碗娖剑琈OS管截止。

然而現(xiàn)有逆E類功率放大電路有以下缺陷，開關(guān)斷開后，由于電感具有電流不能突變的特性，電感L會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，A點電壓瞬間升高，起開關(guān)作用MOS管M在頻率很低時的寄生電容可以忽略不計，因而MOS管M可能會被擊穿損毀并且會有能量損耗；開關(guān)再次閉合的瞬間，由于電感L的作用不能保證A點電壓為0，會有能量損耗。

綜上所述，需要對現(xiàn)有技術(shù)中的逆E類進行結(jié)構(gòu)上的改進，確定在開關(guān)閉合瞬間，節(jié)點A的電壓為0，保證輸出效率為100％。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種逆E類功率放大電路，該電路較現(xiàn)有逆E類功率放大電路，能夠保證逆E類功率放大電路的開關(guān)閉合瞬間，節(jié)點A的電勢為0，確保電路的輸出效率為100％，其相比現(xiàn)有逆E類功率放大電路具有發(fā)射效率更高，穩(wěn)定性更強的特點。

為了達到以上目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種逆E類功率放大電路，包括：

第一扼流圈電感L_RFC、第一電感L1、第一MOS管M、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3以及負載，所述第一扼流圈L_RFC的一端與電源連接，第一扼流圈L_RFC的另一端與第一電感L1一端、第一電容C1的一端、第二電容C2的一端以及第三電容C3的一端相連，所述第一電感L1的另一端與第一MOS管M的一端相連以及與第一電容C1的另一端相連，所述第三電容C3的另一端和負載相連，所述第一MOS管M的另一端接地，所述第二電容C2的另一端接地，所述負載的另一端接地。

進一步地，所述第一電容C1，用于保護電路。

進一步地，所述第三電容C3，用于隔斷電路中的直流分量。

進一步地，第一MOS管M的漏極和第一電感L1相連，第一MOS管M的源極接地。

進一步地，所述第一MOS管為N溝道增強型MOS管。

進一步地，還包括濾波電路，

所述濾波電路的一端與第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端以及第二電容C2的一端相連，所述濾波電路的另一端第三電容C3與負載相連。

進一步地，所述濾波電路為串聯(lián)型濾波電路或者并聯(lián)型濾波電路。

進一步地，所述串聯(lián)型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第四電容C4的一端和第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第四電容C4的另一端和第三電感L3的一端相連，所述第三電感L3的另一端經(jīng)第三電容C3與負載相連。

進一步地，所述并聯(lián)型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第三電感L3的一端和第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第三電感L3的另一端和第四電容C4的一端和經(jīng)第三電容C3與負載相連，所述第四電容C4的另一端接地。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明中的NMOS管M以及電感之間增加電容，能夠保證NMOS管M不被擊穿，提高了電路穩(wěn)定性，并且保證NMOS管閉合瞬間，節(jié)點A的電勢為0，從而使得電路的輸出效率為100％。

附圖說明

圖1為背景技術(shù)中現(xiàn)有技術(shù)逆E類功率放大電路；

圖2為本發(fā)明實施例提供的逆E類射頻功率放大電路圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的加有濾波電路一逆E類射頻功率放大電路圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的加有濾波電路二逆E類射頻功率放大電路圖。

具體實施方式