[發(fā)明專利]一種逆E類功率放大電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710991543.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN107800390A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬紅玲;王巖琴;崔洪藝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波德晶元科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/02
• 分類號(hào): H03F1/02;H03F3/217;H03F3/193;H03F3/24
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)33243
• 代理人: 龍洋

1.一種逆E類功率放大電路，其特征在于，包括：

第一扼流圈電感L_RFC、第一電感L1、第一MOS管M、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3以及負(fù)載，所述第一扼流圈L_RFC的一端與電源連接，第一扼流圈L_RFC的另一端與第一電感L1一端、第一電容C1的一端、第二電容C2的一端以及第三電容C3的一端相連，所述第一電感L1的另一端與第一MOS管M的一端相連以及與第一電容C1的另一端相連，所述第三電容C3的另一端和負(fù)載相連，所述第一MOS管M的另一端接地，所述第二電容C2的另一端接地，所述負(fù)載的另一端接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

所述第一電容C1，用于保護(hù)電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

所述第三電容C3，用于隔斷電路中的直流分量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

第一MOS管M的漏極和第一電感L1相連，第一MOS管M的源極接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

所述第一MOS管為N溝道增強(qiáng)型MOS管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，還包括濾波電路，

所述濾波電路的一端與第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端以及第二電容C2的一端相連，所述濾波電路的另一端第三電容C3與負(fù)載相連。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

所述濾波電路為串聯(lián)型濾波電路或者并聯(lián)型濾波電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

所述串聯(lián)型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第四電容C4的一端和第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第四電容C4的另一端和第三電感L3的一端相連，所述第三電感L3的另一端經(jīng)第三電容C3與負(fù)載相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，

所述并聯(lián)型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第三電感L3的一端和第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第三電感L3的另一端和第四電容C4的一端和經(jīng)第三電容C3與負(fù)載相連，所述第四電容C4的另一端接地。