[發(fā)明專利]電子槍、掩膜版制備方法及半導(dǎo)體裝置

有效

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• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN109698102B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李傳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01J3/02
• 分類號: H01J3/02;G03F1/78
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

本發(fā)明揭示了一種電子槍，所述電子槍包括：槍體及電子抑制結(jié)構(gòu)，所述槍體具有一發(fā)射端，所述電子抑制結(jié)構(gòu)固設(shè)于所述發(fā)射端，并位于所述發(fā)射端的開口的徑向外側(cè)，所述電子抑制結(jié)構(gòu)用于在所述電子槍使用時(shí)接地，所述槍體產(chǎn)生的電子束自所述發(fā)射端發(fā)射，所述電子抑制結(jié)構(gòu)吸收所述電子束發(fā)射至目標(biāo)后反彈的電子。于是，借助于所述電子抑制結(jié)構(gòu)，有效改善了電子束經(jīng)目標(biāo)后反復(fù)反彈的狀況，降低了對目標(biāo)的影響。由此進(jìn)行的掩膜版制備，可以有效降低電子束對掩膜版的影響，提高掩膜版的精度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電子槍、掩膜版制備方法及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

光刻工藝是半導(dǎo)體制造加工過程中的重要環(huán)節(jié)之一，其主要過程是借助于精密儀器將制備在掩膜版(亦稱為光罩)上的圖形經(jīng)一定倍率后放大至基底上，從而實(shí)現(xiàn)電路器件的制備。

由于光刻過程中涉及圖形尺寸很小，受光學(xué)效應(yīng)影響的可能性較大，因此，如何使得掩膜版圖形更為精確，就成為了業(yè)界一直在關(guān)注和攻堅(jiān)的難題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種電子槍、掩膜版制備方法及半導(dǎo)體裝置，改善電子束對掩膜版的影響，提高掩膜版的質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電子槍，包括：

槍體及電子抑制結(jié)構(gòu)，所述槍體具有一發(fā)射端，所述電子抑制結(jié)構(gòu)固設(shè)于所述發(fā)射端，并位于所述發(fā)射端的開口的徑向外側(cè)，所述電子抑制結(jié)構(gòu)用于在所述電子槍使用時(shí)接地，所述槍體產(chǎn)生的電子束自所述發(fā)射端發(fā)射，所述電子抑制結(jié)構(gòu)吸收所述電子束發(fā)射至目標(biāo)后反彈的電子。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)呈環(huán)狀，套裝于所述發(fā)射端。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的開口面積大于所述發(fā)射端的開口面積。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)呈圓環(huán)狀。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑為5cm～10cm，寬度為1cm～1.5cm。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)可拆卸安裝于所述發(fā)射端，或者，所述電子抑制結(jié)構(gòu)永久性安裝于所述發(fā)射端。

可選的，對于所述的電子槍，所述發(fā)射端突出于所述電子抑制結(jié)構(gòu)5cm～10cm。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為導(dǎo)體。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為碳及其合金中的至少一種。

可選的，對于所述的電子槍，所述電子抑制結(jié)構(gòu)上具有若干沿環(huán)繞所述電子束的方向間隔排列的凹陷。

可選的，對于所述的電子槍，所述凹陷朝向所述目標(biāo)。

可選的，對于所述的電子槍，所述凹陷為凹槽。

本發(fā)明還提供一種掩膜版制造方法，利用所述的電子槍進(jìn)行圖形制備。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置，包括所述的電子槍。

本發(fā)明提供的電子槍中，所述電子槍包括：槍體及電子抑制結(jié)構(gòu)，所述槍體具有一發(fā)射端，所述電子抑制結(jié)構(gòu)固設(shè)于所述發(fā)射端，并位于所述發(fā)射端的開口的徑向外側(cè)，所述電子抑制結(jié)構(gòu)用于在所述電子槍使用時(shí)接地，所述槍體產(chǎn)生的電子束自所述發(fā)射端發(fā)射，所述電子抑制結(jié)構(gòu)吸收所述電子束發(fā)射至目標(biāo)后反彈的電子。于是，借助于所述電子抑制結(jié)構(gòu)，有效改善了電子束經(jīng)目標(biāo)后反復(fù)反彈的狀況，降低了對目標(biāo)的影響。由此進(jìn)行的掩膜版制備，可以有效降低電子束對掩膜版的影響，提高掩膜版的精度。

附圖說明

圖1為一種掩膜版的示意圖；

圖2為一種電子槍對掩膜版進(jìn)行加工時(shí)的示意圖；