[發(fā)明專利]電子槍、掩膜版制備方法及半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710986115.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109698102B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李傳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01J3/02
• 分類號(hào): H01J3/02;G03F1/78
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種電子槍，其特征在于，包括：

槍體及電子抑制結(jié)構(gòu)，所述槍體具有一發(fā)射端，所述電子抑制結(jié)構(gòu)固設(shè)于所述發(fā)射端，并位于所述發(fā)射端的開(kāi)口的徑向外側(cè)，所述電子抑制結(jié)構(gòu)用于在所述電子槍使用時(shí)接地，所述槍體產(chǎn)生的電子束自所述發(fā)射端發(fā)射，所述電子抑制結(jié)構(gòu)吸收所述電子束發(fā)射至目標(biāo)后反彈的電子。

2.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)呈環(huán)狀，套裝于所述發(fā)射端。

3.如權(quán)利要求2所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的開(kāi)口面積大于所述發(fā)射端的開(kāi)口面積。

4.如權(quán)利要求2所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)呈圓環(huán)狀。

5.如權(quán)利要求4所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑為5cm～10cm，寬度為1cm～1.5cm。

6.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)可拆卸安裝于所述發(fā)射端，或者，所述電子抑制結(jié)構(gòu)永久性安裝于所述發(fā)射端。

7.如權(quán)利要求6所述的電子槍，其特征在于，所述發(fā)射端突出于所述電子抑制結(jié)構(gòu)5cm～10cm。

8.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為導(dǎo)體。

9.如權(quán)利要求8所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為碳及其合金中的至少一種。

10.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述電子抑制結(jié)構(gòu)上具有若干沿環(huán)繞所述電子束的方向間隔排列的凹陷。

11.如權(quán)利要求10所述的電子槍，其特征在于，所述凹陷朝向所述目標(biāo)。

12.如權(quán)利要求10或11所述的電子槍，其特征在于，所述凹陷為凹槽。

13.一種掩膜版制造方法，其特征在于，利用如權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的電子槍進(jìn)行圖形制備。

14.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的電子槍。