[發明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板及指紋識別器件

有效

• 申請號: 201710984474.8
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107768310B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 邸云萍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8249
• 分類號: H01L21/8249;H01L27/06;G06K9/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明公開了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及指紋識別器件，該陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上形成一層多晶硅層，對多晶硅層進行構圖，多晶硅層的圖案在襯底基板上的正投影位于多個目標區域內；采用第一摻雜工藝，向對應于PIN型二極管的第一子區域，以及P型晶體管的第一子區域和第二子區域內的多晶硅層摻P型離子；采用第二摻雜工藝，向對應于PIN型二極管的第二子區域，以及N型晶體管的第一子區域和第二子區域內的多晶硅層摻N型離子。本發明實施例提供的制作方法，實現了將晶體管的工藝制程與PIN型二極管的工藝制程集成到一起，從而簡化陣列基板的工藝流程，降低成本。

技術領域

本發明涉及傳感器技術領域，尤指一種陣列基板的制作方法、陣列基板及指紋識別器件。

背景技術

指紋是人體與生俱來獨一無二并可與他人相區別的不變特征。它由指端皮膚表面上的一系列脊和谷組成。這些脊和谷的組成細節通常包括脊的分叉、脊的末端、拱形、帳篷式的拱形、左旋、右旋、螺旋或雙旋等細節，決定了指紋圖案的唯一性。由之發展起來的指紋識別技術是較早被用作為個人身份驗證的技術，根據指紋采集、輸入的方式不同，目前廣泛應用并被熟知的有：光學成像、熱敏傳感器、人體遠紅外傳感器等。

目前，超聲波指紋識別尚屬于一個新技術領域，相比電容式指紋識別器件，超聲波指紋識別性能更優：可防水防汗、傳感器大面積化、識別假指紋、支持更厚封裝層。此外，超聲波還可進行脈搏、血壓等其他功能識別。超聲波指紋識別產品需要將CMOS晶體管器件與PIN型二極管器件集成，現有成熟工藝技術是在晶圓硅基底上通過半導體制程來實現的，但現有技術中CMOS晶體管器件的工藝制程與PIN型二極管器件的工藝制程是分開的，導致制作超聲波指紋識別器件的工藝流程非常復雜，工藝成本高。

發明內容

本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及指紋識別器件，用以解決現有技術中存在的制作超聲波指紋識別器件的工藝流程非常復雜，工藝成本高的問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板，包括多個目標區域組，每個所述目標區域組至少包括兩個不同的目標區域；每一個所述目標區域為PIN型二極管或P型晶體管或N型晶體管，且每一個所述目標區域分為第一子區域，第二子區域，以及位于所述第一子區域和所述第二子區域之間的第三子區域；

所述陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成一層多晶硅層，對所述多晶硅層進行構圖，所述多晶硅層的圖案在所述襯底基板上的正投影位于多個所述目標區域內；

針對P型晶體管，采用第一摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第一子區域，以及所述P型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻P型離子；

針對N型晶體管，采用第二摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第二子區域，以及所述N型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻N型離子。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述制作方法中，所述晶體管包括P型晶體管和N型晶體管；

所述采用第一摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第一子區域，以及所述P型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻P型離子，包括：

在所述多晶硅層之上形成一層金屬層，對所述金屬層進行第一次構圖后，得到的所述金屬層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述目標區域，所述P型晶體管對應的所述第三子區域，以及所述PIN型二極管對應的所述第二子區域和所述第三子區域；

以第一次構圖后的所述金屬層為遮擋，向所述多晶硅層摻P型離子。