[發明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板及指紋識別器件

有效

• 申請號: 201710984474.8
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107768310B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 邸云萍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8249
• 分類號: H01L21/8249;H01L27/06;G06K9/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板，包括多個目標區域組，每個所述目標區域組至少包括兩個不同的目標區域；每一個所述目標區域為PIN型二極管或P型晶體管或N型晶體管，且每一個所述目標區域分為第一子區域，第二子區域，以及位于所述第一子區域和所述第二子區域之間的第三子區域；

所述陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成一層多晶硅層，對所述多晶硅層進行構圖，所述多晶硅層的圖案在所述襯底基板上的正投影位于多個所述目標區域內；

采用第一摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第一子區域，以及所述P型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻P型離子；

采用第二摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第二子區域，以及所述N型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻N型離子；

所述晶體管包括P型晶體管和N型晶體管；

所述采用第一摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第一子區域，以及所述P型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻P型離子，包括：

在所述多晶硅層之上形成一層金屬層，對所述金屬層進行第一次構圖后，得到的所述金屬層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述目標區域，所述P型晶體管對應的所述第三子區域，以及所述PIN型二極管對應的所述第二子區域和所述第三子區域；

以第一次構圖后的所述金屬層為遮擋，向所述多晶硅層摻P型離子；

所述采用第二摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第二子區域，以及所述N型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻N型離子，包括：

對所述金屬層進行第二次構圖后，得到的所述金屬層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述第三子區域的中間區域，所述P型晶體管對應的所述第三子區域，以及所述PIN型二極管對應的所述第二子區域和所述第三子區域；

形成第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行第一次構圖后，得到的所述第一光刻膠層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述第三子區域，所述P型晶體管的對應的所述目標區域，以及所述PIN型二極管對應的所述目標區域；

以第一次構圖后的所述第一光刻膠層為遮擋，向所述多晶硅層摻N型離子；

對所述第一光刻膠層進行第二次構圖，得到的所述第一光刻膠層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述第三子區域的中間區域，所述P型晶體管的對應的所述目標區域，以及所述PIN型二極管對應的所述目標區域；

以第二次構圖后的所述第一光刻膠層為遮擋，向所述多晶硅層摻雜，以形成所述N型晶體管的輕摻雜漏區。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用第二摻雜工藝，向對應于所述PIN型二極管的所述第二子區域，以及所述N型晶體管的所述第一子區域和所述第二子區域內的所述多晶硅層摻N型離子，還包括：

對所述金屬層進行第三次構圖后，得到的所述金屬層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述第三子區域的中間區域，所述P型晶體管對應的所述第三子區域，以及所述PIN型二極管對應的所述第三子區域；

形成第二光刻膠層，對所述第二光刻膠層進行第一次構圖后，得到的所述第二光刻膠層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述目標區域，所述P型晶體管的對應的所述目標區域，以及所述PIN型二極管對應的所述第一子區域和所述第三子區域靠近所述第一子區域的部分區域；

以所述第一次構圖后的所述第二光刻膠層為遮擋，向所述多晶硅層摻N型離子。

3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述以所述第一次構圖后的所述第二光刻膠層為遮擋，向所述多晶硅層摻N型離子之后，還包括：

對所述第二光刻膠層進行第二次構圖后，得到的所述第二光刻膠層的圖形覆蓋所述N型晶體管對應的所述目標區域，所述P型晶體管的對應的所述目標區域，以及所述PIN型二極管對應的所述第一子區域和所述第三子區域靠近所述第一子區域的部分區域；

以第二次構圖后的所述第二光刻膠層為遮擋，向所述多晶硅層摻雜，以形成所述PIN型二極管的輕摻雜漏區。