[發明專利]碳被覆金屬粉末、導電性糊劑及層疊電子部件、以及碳被覆金屬粉末的制造方法有效
| 申請號: | 201710981440.3 | 申請日: | 2015-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN107745120B | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 秋本裕二;田中秀樹;巖崎峰人;松尾明子 | 申請(專利權)人: | 昭榮化學工業株式會社 |
| 主分類號: | B22F1/02 | 分類號: | B22F1/02;C22C19/03;B22F1/00;B22F9/14 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 劉強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被覆 金屬粉末 導電性 層疊 電子 部件 以及 制造 方法 | ||
1.碳被覆金屬粉末,其為具有包含比98wt%多的鎳的鎳系粉末或者以鎳作為主成分的鎳系粉末、和被覆該鎳系粉末的碳被覆膜的碳被覆金屬粉末,氧含量以相對于單位重量的碳被覆金屬粉末的氧成分的重量比率計,為粉末的每1m2/g比表面積1500ppm以下,采用ESCA的表面解析中,相對于從粒子表面向中心在1nm的位置的歸屬于碳原子的1s的峰位置,從粒子表面向中心在11nm的位置的上述峰位置向低能量側偏移。
2.權利要求1所述的碳被覆金屬粉末,其中,在上述采用ESCA的表面解析中,相對于從粒子表面向中心在1nm的位置的歸屬于碳原子的1s的峰位置,從粒子表面向中心在11nm的位置的上述峰位置向低能量側偏移了0.08eV以上。
3.權利要求1或2所述的碳被覆金屬粉末,其中,不存在歸屬于氧化鎳和氫氧化鎳的峰。
4.權利要求1或2所述的碳被覆金屬粉末,其中,將激光衍射式粒度分布測定的體積基準的累積分率中的10%值、50%值、90%值分別設為D10、D50、D90時,D50為300nm以下,由(D90-D10)/(D50)表示的SD值為1.5以下,在氮-氫還原氣氛中、以5℃/分的速度從室溫升溫到1200℃進行TMA測定時,由式(1)表示的X為50以下,
X(%)=(X200℃/XMAX)×100…(1)
式(1)中,XMAX為最大收縮率,X200℃為200℃的溫度寬度中的最大收縮率與最小收縮率之差的最大值。
5.權利要求1或2所述的碳被覆金屬粉末,其中,上述鎳系粉末為包含比98wt%多的鎳的粉末、或者包含2~20wt%的銅的鎳粉末。
6.導電性糊劑,其包含權利要求1-5的任一項所述的碳被覆金屬粉末和粘結劑樹脂和溶劑。
7.層疊電子部件,具有交替地多層層疊的內部導體層和陶瓷層,所述內部導體層為權利要求6所述的導電性糊劑的燒成物。
8.權利要求7所述的層疊電子部件,其中,上述內部導體層的被覆率比90%高。
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