[發(fā)明專利]碳被覆金屬粉末、導(dǎo)電性糊劑及層疊電子部件、以及碳被覆金屬粉末的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710981440.3
• 申請(qǐng)日: 2015-06-17
• 公開（公告）號(hào): CN107745120B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋本裕二;田中秀樹;巖崎峰人;松尾明子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昭榮化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B22F1/02
• 分類號(hào): B22F1/02;C22C19/03;B22F1/00;B22F9/14
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉強(qiáng)

1.碳被覆金屬粉末，其為具有包含比98wt％多的鎳的鎳系粉末或者以鎳作為主成分的鎳系粉末、和被覆該鎳系粉末的碳被覆膜的碳被覆金屬粉末，氧含量以相對(duì)于單位重量的碳被覆金屬粉末的氧成分的重量比率計(jì)，為粉末的每1m²/g比表面積1500ppm以下，采用ESCA的表面解析中，相對(duì)于從粒子表面向中心在1nm的位置的歸屬于碳原子的1s的峰位置，從粒子表面向中心在11nm的位置的上述峰位置向低能量側(cè)偏移。

2.權(quán)利要求1所述的碳被覆金屬粉末，其中，在上述采用ESCA的表面解析中，相對(duì)于從粒子表面向中心在1nm的位置的歸屬于碳原子的1s的峰位置，從粒子表面向中心在11nm的位置的上述峰位置向低能量側(cè)偏移了0.08eV以上。

3.權(quán)利要求1或2所述的碳被覆金屬粉末，其中，不存在歸屬于氧化鎳和氫氧化鎳的峰。

4.權(quán)利要求1或2所述的碳被覆金屬粉末，其中，將激光衍射式粒度分布測(cè)定的體積基準(zhǔn)的累積分率中的10％值、50％值、90％值分別設(shè)為D10、D50、D90時(shí)，D50為300nm以下，由(D90-D10)/(D50)表示的SD值為1.5以下，在氮-氫還原氣氛中、以5℃/分的速度從室溫升溫到1200℃進(jìn)行TMA測(cè)定時(shí)，由式(1)表示的X為50以下，

X(％)＝(X_200℃/X_MAX)×100…(1)

式(1)中，X_MAX為最大收縮率，X_200℃為200℃的溫度寬度中的最大收縮率與最小收縮率之差的最大值。

5.權(quán)利要求1或2所述的碳被覆金屬粉末，其中，上述鎳系粉末為包含比98wt％多的鎳的粉末、或者包含2～20wt％的銅的鎳粉末。

6.導(dǎo)電性糊劑，其包含權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的碳被覆金屬粉末和粘結(jié)劑樹脂和溶劑。

7.層疊電子部件，具有交替地多層層疊的內(nèi)部導(dǎo)體層和陶瓷層，所述內(nèi)部導(dǎo)體層為權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電性糊劑的燒成物。

8.權(quán)利要求7所述的層疊電子部件，其中，上述內(nèi)部導(dǎo)體層的被覆率比90％高。