[發(fā)明專利]一種防眩光高透率減反射耐摩擦鍍膜玻璃及加工工藝

在審

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• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN109678360A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張忠義;詹達勇;馬金成
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/42
• 分類號: C03C17/42
• 代理公司: 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

本發(fā)明公開了一種防眩光高透率減反射耐摩擦鍍膜玻璃，其包括有玻璃基材，所述玻璃基材上噴涂有AG膜層，所述AG膜層上鍍制有AR膜層，所述AR膜層上鍍制有氮化碳層。本發(fā)明可有效防止環(huán)境光對顯示內(nèi)容的干擾，具有高透減反射和耐刮傷性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及鍍膜玻璃，尤其涉及一種防眩光高透率減反射耐摩擦鍍膜玻璃及加工工藝。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，AG防眩光玻璃制備工藝采用的是氫氟酸蝕刻工藝，只能控制光澤度、霧度、粗糙度指標，DOI(影像清晰度)技術(shù)指標不可控，可見光透過率只有92％-93％,反射率約為8％，鉛筆硬度7H。AR膜層中的高低折射率材料采用的是TiO2、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4。膜層結(jié)構(gòu)為Glass/Nb2O5(TiO2、Ta2O5、Si3N4)/SiO2/Nb2O5(TiO2、Ta2O5、Si3N4)/SiO2。在真空反應(yīng)磁控濺射沉積膜層過程中采用過氧控制和等離子體發(fā)射光譜監(jiān)控法控制。玻璃膜層表面采用PET保護貼進行防劃傷保護。

目前，傳統(tǒng)的AG防眩光玻璃制備工藝采用的是氫氟酸蝕刻工藝，氫氟酸對皮膚有強烈刺激性和腐蝕性。氫氟酸中的氫離子對人體組織有脫水和腐蝕作用，而氟是最活潑的非金屬元素之一。皮膚與氫氟酸接觸后,氟離子不斷解離而滲透到深層組織,溶解細胞膜，造成表皮、真皮、皮下組織乃至肌層液化壞死，對人體危害極大，生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢液會造成環(huán)境污染。隨著國民生活水平的提高，對高危職業(yè)預(yù)防保護的呼吁越來越高，國家對環(huán)保的控制要求越來越嚴格，采用氫氟酸蝕刻工藝制備AG防眩光玻璃已經(jīng)不適合規(guī)模化生產(chǎn)。

市場上AG防眩光玻璃透過率只能達到92％，反射率約為8％、不能滿足各種顯示器件的要求。產(chǎn)品不僅滿足AG防眩光的效果，還要更進一步提高光的透過率、實現(xiàn)產(chǎn)品的防眩高透減反的目的。

現(xiàn)有手機、電腦、電視、戶外廣告、醫(yī)療儀器、攝像機等顯示保護屏玻璃產(chǎn)品表面不抗劃傷，頻繁的使用不可避免會出現(xiàn)與尖銳硬物碰刮和摩擦，玻璃表面出現(xiàn)刮花現(xiàn)象.這種現(xiàn)象會造成畫面質(zhì)量和閱讀效果，且表面不可沒法修復(fù)。采用的保護辦法是在玻璃蓋板上加貼一層保護膜(如手機面板)，即增加了費用成本又降低了透過率，耗能增加和頻繁更換膜給用戶帶來極大的困擾。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可有效防止環(huán)境光對顯示內(nèi)容的干擾、具有高透減反射和耐刮傷性能的防眩光高透率減反射耐摩擦鍍膜玻璃及加工工藝。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案。

一種防眩光高透率減反射耐摩擦鍍膜玻璃，其包括有玻璃基材，所述玻璃基材上噴涂有AG膜層，所述AG膜層上鍍制有AR膜層，所述AR膜層上鍍制有氮化碳層。

優(yōu)選地，所述AG膜層包括有硅樹脂層。

優(yōu)選地，所述AR膜層包括有第一三氧化二鈥層、第一二氧化硅層、第二三氧化二鈥層和第二二氧化硅層，所述第一三氧化二鈥層、第一二氧化硅層、第二三氧化二鈥層和第二二氧化硅層采用真空磁控濺射方式依次鍍制于硅樹脂層上。

優(yōu)選地，所述氮化碳層采用真空磁控直流濺射方式鍍制于第二二氧化硅層上。

優(yōu)選地，硅樹脂層的厚度為400nm～550nm.

優(yōu)選地，所述第一三氧化二鈥層的厚度為9nm～12nm，所述第一二氧化硅層的厚度為32nm～36nm，所述第二三氧化二鈥層的厚度為108nm～114nm，所述第二二氧化硅層的厚度為58nm～62nm。

優(yōu)選地，所述氮化碳層的厚度為8nm～12nm。

一種防眩光高透率減反射耐摩擦鍍膜玻璃加工工藝，該工藝包括：步驟S1，準備玻璃基材；步驟S2，在所述玻璃基材上噴涂AG膜層；步驟S3，在所述AG膜層上鍍制AR膜層；步驟S4，在所述AR膜層上鍍制氮化碳層。