[發(fā)明專利]一種吸熱式碳化硅芯片封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710973547.3
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN107706164A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設計）人: 陳力穎
• 申請（專利權）人: 天津力芯偉業(yè)科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種吸熱式碳化硅芯片封裝,包括線路層、防焊層、芯片封裝結構和引腳體，導電元件，電源線，導熱結構，吸熱結構，解耦電容，其特征在于:所述導熱結構設置在芯片封裝結構內部；所述解耦電容芯片設置于封裝上表面，解耦電容電性連接芯片封裝的電源線；引腳體插入芯片封裝結構；所述的芯片封裝結構與防焊層之間設有吸熱結構，有利于提高芯片封裝結構的穩(wěn)定性。

2.根據權利要求1所述的一種吸熱式碳化硅芯片封裝,其特征在于：上述結構通過導線與芯片上的焊接點相連。

3.根據權利要求1所述的一種吸熱式碳化硅芯片封裝,其特征在于：解耦電容具有兩個終端。