[發明專利]在襯底上制備GaN納米線的方法在審
| 申請號： | 201710969740.X | 申請日： | 2017-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN107910243A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 劉志強;伍紹騰;伊曉燕;黃洋;程成;王蘊玉;綦成林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 湯寶平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 制備 gan 納米 方法 | ||
1.一種在襯底上制備GaN納米線的方法，包括以下步驟：
步驟1：清洗襯底；
步驟2：在襯底上鍍一層Ni和Au金屬；
步驟3：將鍍有Ni和Au金屬的襯底放入HVPE外延設備的反應室中，將反應室升溫；
步驟4：向反應室中通入反應氣體，在襯底上生長GaN納米線；
步驟5：關閉通入的反應氣體，將襯底降溫，完成制備。
2.根據權利要求1所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中襯底的材料為Si、Al2O3、SiC或GaN。
3.根據權利要求1所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中襯底是依次放入丙酮和乙醇溶液中清洗。
4.根據權利要求1所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中所述的Ni和Au金屬或Ni/Au合金，其組分為任意比例；總厚度為0.2-20nm。
5.根據權利要求1所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中反應室升溫的溫度到900-1200℃。
6.根據權利要求1所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中向反應室中通入的反應氣體為NH3和HCl。
7.根據權利要求6所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中所述的NH3和HCl氣體的流量分別為10-200sccm及5-30sccm。
8.根據權利要求7所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中通入NH3和HCl的氣體后，在襯底上生長GaN納米線的時間為2-15分鐘。
9.根據權利要求1所述的在襯底上制備GaN納米線的方法，其中降溫是將襯底的溫度降到室溫。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
