[發明專利]一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器

在審

• 申請號: 201710969132.9
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN107659267A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 王永剛
• 申請（專利權）人: 蘇州云芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H03B5/02
• 分類號: H03B5/02;H03B5/12;H03L7/099
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司32224
• 代理人: 董建林

1.一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器，其特征在于：包括電感L0、負阻電路、開關電容陣列、變容管陣列和偏置電路；

電感L0兩端、開關電容陣列兩端和變容管陣列兩端均分別連接VCO的輸出端V_OP和V_ON，電感L0的中心抽頭連接偏置電路，負阻電路連接電源、VCO的輸出端V_OP和V_ON；

變容管陣列包括電容C0、電容C1、變容管Cvar0、變容管Cvar1、變容管Cvar2、變容管Cvar3、電阻R0和電阻R1；電容C0的一端連接VCO的輸出端V_OP，電容C0的另一端分別與變容管Cvar0負極、變容管Cvar2正極以及電阻R0的一端連接，變容管Cvar0正極分別與VCO控制電壓V_C的正端以及變容管Cvar1正極連接，變容管Cvar2負極分別與VCO控制電壓V_C的負端以及變容管Cvar3負極連接，電阻R0的另一端分別與偏壓V_B1以及電阻R1的一端連接，變容管Cvar1負極、變容管Cvar3正極以及電阻R1的另一端均與電容C1的一端連接，電容C1的另一端連接VCO的輸出端V_ON。

2.根據權利要求1所述的一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器，其特征在于：負阻電路包括MOS晶體管M1和MOS晶體管M2，MOS晶體管M1和MOS晶體管M2構成交叉耦合對管，MOS晶體管M1和MOS晶體管M2的源極均連接電源，MOS晶體管M1的柵極和MOS晶體管M2的漏極連接，并且均與VCO的輸出端V_ON連接，MOS晶體管M2的柵極和MOS晶體管M1的漏極連接，并且均與VCO的輸出端V_OP連接。

3.根據權利要求2所述的一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器，其特征在于：MOS晶體管M1和MOS晶體管M2均為P型MOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器，其特征在于：開關電容陣列包括并聯在VCO的輸出端V_OP和V_ON之間的n個開關電容單元；

開關電容單元包括電容Cn0、電容Cn1、MOS晶體管Mn1、MOS晶體管Mn2和MOS晶體管Mn3；電容Cn0的一端與VCO的輸出端V_OP連接，電容Cn0的另一端分別與MOS晶體管Mn1以及MOS晶體管Mn2的漏極連接，MOS晶體管Mn2的源極接地，電容Cn1的一端與VCO的輸出端V_ON連接，電容Cn1的另一端分別與MOS晶體管Mn1的源極以及MOS晶體管Mn3的漏極連接，MOS晶體管Mn3的源極接地，MOS晶體管Mn1、MOS晶體管Mn2和MOS晶體管Mn3的柵極連接控制電壓V。

5.根據權利要求4所述的一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器，其特征在于：MOS晶體管Mn1、MOS晶體管Mn2和MOS晶體管Mn3均為N型MOS晶體管。

6.根據權利要求1所述的一種調諧曲線線性化的全差分壓控振蕩器，其特征在于：偏置電路包括m個MOS晶體管M31~M3m和m-1個開關SW2~SWm； MOS晶體管M31~M3m的漏極均與電感L0的中心抽頭連接，MOS晶體管M31~M3m的柵極均與偏置點V_B0連接，MOS晶體管M31的源極接地，MOS晶體管M32~M3m的源極分別通過一個開關接地。