[發明專利]一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路

在審

• 申請號: 201710968802.5
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN107807705A
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 蘇阿娜
• 申請（專利權）人: 上海斐訊數據通信技術有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 杭州千克知識產權代理有限公司33246
• 代理人: 周希良,吳輝輝

1.一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，包括：光電耦合電路(1)、參照電壓控制電路(2)及比較器(3)；

所述光電耦合電路(1)與所述比較器(3)連接，用于向比較器(3)輸入光電耦合電壓；

所述參照電壓控制電路(2)與所述比較器(3)連接，用于向比較器(3)輸入參照電壓；

所述參照電壓控制電路(2)包括：充放電電路(4)及檢測電路(5)；

所述充放電電路(4)用于根據不同情況的預設電壓值，向比較器(3)輸入不同的參照電壓；

所述檢測電路(5)用于檢測所述充放電電路(4)的電壓值；

所述比較器(3)用于比較光電耦合電壓及參照電壓的大小。

2.如權利要求1所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述光電耦合電路(1)包括：

第一電阻R1、第二電阻R2、發光二極管LED、三極管Q；

所述第一電阻R1連接至發光二極管LED的正極，所述發光二極管LED的負極接地；

所述發光二極管LED通過光照為三極管Q提供基極電流，所述三極管Q的發射極接地，所述三極管Q的集電極分別連接至第二電阻R2及比較器(3)。

3.如權利要求1所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述充放電電路(4)包括：第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、電容C、第一MOS管M1、第二MOS管M2、MCU；

所述第三電阻R3的一端連接至比較器(3)，另一端連接至第一MOS管M1的漏極，所述第一MOS管M1的源極接地，所述第一MOS管M1的柵極分別連接至電容C、第四電阻R4及第五電阻R5；

所述電容C的另一端接地；

所述第四電阻R4的另一端連接至第二MOS管M2的漏極，所述第二MOS管M2的源極接地，所述第二MOS管M2的柵極連接至MCU的第一I/O端口；

所述第五電阻R5另一端連接至MCU的第二I/O端口。

4.如權利要求3所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述充放電電路(4)中還包括：電反向隔離二極管D；

所述二極管D設置于第五電阻R5與MCU之間；

所述第五電阻R5連接至二極管D的負極，所述二極管D的正極連接至MCU的第二I/O端口。

5.如權利要求3所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述第一MOS管M1為P溝道型MOS管；

所述第二MOS管M2為P溝道型MOS管。

6.如權利要求1或3所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述檢測電路(5)包括：第三MOS管M3及CPU；

所述第三MOS管M3的源極與第一MOS管M1的柵極并聯連接至電容C；

所述第三MOS管M3的漏極連接至CPU的ADC端口；

所述第三MOS管M3的柵極連接至CPU的I/O端口。

7.如權利要求6所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述第三MOS管M3為N溝道型MOS管。

8.如權利要求1所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述光電耦合電路(1)與所述比較器(3)的正極輸入端連接。

9.如權利要求1所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述參照電壓控制電路(2)與所述比較器(3)的負極輸入端連接。

10.如權利要求1所述的一種AGV光電尋跡模塊電壓調節電路，其特征在于，所述比較器(3)比較光電耦合電壓及參照電壓的大小具體為：

當光電耦合電壓高于參照電壓時，比較器(3)輸出為高電平；

當光電耦合電壓低于參照電壓時，比較器(3)輸出為低電平。