[發(fā)明專利]探測單元及其制作方法、平板探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710967141.4 | 申請日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN109671729B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 侯學成;田鵬程;車春城;林家強;李鑫 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探測 單元 及其 制作方法 平板 探測器 | ||
1.一種探測單元,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的第一電極;
位于所述第一電極遠離所述襯底基板一側的光電二極管;
位于所述光電二極管遠離所述第一電極一側的透明電極和與所述透明電極電連接的第二電極,
其中,所述光電二極管在所述襯底基板上的正投影完全落入所述第一電極在所述襯底基板的正投影內(nèi),在平行于所述襯底基板的平面上,所述透明電極位于所述光電二極管的中部,且所述光電二極管未被所述透明電極覆蓋的部分在所述襯底基板上的正投影完全落入所述第二電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi),
所述探測單元還包括位于所述透明電極遠離所述光電二極管一側的偏置信號線,所述偏置信號線與所述透明電極電連接,所述第二電極與所述偏置信號線電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的探測單元,還包括:
位于所述偏置信號線與所述透明電極之間的絕緣層,所述絕緣層包括過孔,所述偏置信號線通過所述過孔與所述透明電極電連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的探測單元,其中,所述第二電極位于所述絕緣層遠離所述透明電極的一側。
4.根據(jù)權利要求3所述的探測單元,其中,所述第二電極與所述偏置信號線位于同一層且兩者的材料相同。
5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的探測單元,其中,所述第二電極的材料包括遮光材料。
6.根據(jù)權利要求5所述的探測單元,其中,所述透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二電極在所述襯底基板上的正投影沒有交疊。
7.根據(jù)權利要求1所述的探測單元,還包括:
薄膜晶體管,包括源極和漏極,
其中,所述源極和所述漏極之一為所述第一電極。
8.根據(jù)權利要求1所述的探測單元,其中,所述光電二極管為PIN型光電二極管。
9.一種平板探測器,包括多個如權利要求1-8任一項所述的探測單元,多個所述探測單元陣列排布。
10.根據(jù)權利要求9所述的平板探測器,其中,所述平板探測器為間接式平板探測器。
11.一種探測單元的制作方法,包括:
在襯底基板上形成第一電極;
在所述第一電極遠離所述襯底基板的一側形成光電二極管;
在所述光電二極管遠離所述第一電極的一側形成透明電極和與所述透明電極電連接的第二電極和偏置信號線,所述偏置信號線位于所述透明電極遠離所述光電二極管一側,所述偏置信號線與所述透明電極電連接,所述第二電極與所述偏置信號線電連接,
其中,所述光電二極管在所述襯底基板上的正投影完全落入所述第一電極在所述襯底基板的正投影內(nèi),在平行于所述襯底基板的平面上,所述透明電極位于所述光電二極管的中部,且所述光電二極管未被所述透明電極覆蓋的部分在所述襯底基板上的正投影完全落入所述第二電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
12.根據(jù)權利要求11所述的探測單元的制作方法,還包括:
在所述透明電極遠離所述光電二極管的一側形成絕緣層;
對所述絕緣層圖案化以形成過孔;
在所述絕緣層遠離所述透明電極的一側形成導電層,所述導電層通過所述過孔與所述透明電極電連接;
對所述導電層圖案化以形成偏置信號線和所述第二電極。
13.根據(jù)權利要求11所述的探測單元的制作方法,其中,形成所述第二電極包括:
在所述光電二極管未被所述透明電極覆蓋的部分遠離所述襯底基板的一側形成第二電極,以使所述光電二極管未被所述透明電極覆蓋的部分在所述襯底基板上的正投影完全落入所述第二電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
14.根據(jù)權利要求11-13任一項所述的探測單元的制作方法,其中,所述第二電極的材料包括遮光材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





