[發明專利]探測單元及其制作方法、平板探測器有效
| 申請號: | 201710967141.4 | 申請日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN109671729B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 侯學成;田鵬程;車春城;林家強;李鑫 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探測 單元 及其 制作方法 平板 探測器 | ||
一種探測單元及其制作方法、平板探測器。該探測單元包括:襯底基板;位于襯底基板上的第一電極;位于第一電極遠離襯底基板一側的光電二極管;位于光電二極管遠離第一電極一側的透明電極和與透明電極電連接的第二電極,并且,光電二極管在襯底基板上的正投影完全落入第一電極在襯底基板的正投影內,在平行于襯底基板的平面上,透明電極位于光電二極管的中部,且光電二極管未被透明電極覆蓋的部分在襯底基板上的正投影與第二電極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。該探測單元可有效減小光電二極管的暗態漏電流以提升該探測單元的光電特性。
技術領域
本公開至少一個實施例涉及一種探測單元及其制作方法、平板探測器。
背景技術
X射線檢測廣泛應用于現代醫療影像檢測中,目前最先進的直接數字化X射線攝影(Digital Radiography,DR)是在具有圖像處理功能的計算機控制下,采用一維或者二維的X射線探測器直接把X射線信息轉化為數字圖像信息的技術。當前DR設備主要采用的二維平板X射線探測器(Flat X-ray Panel Detector,FPXD)包括直接式平板探測器和間接式平板探測器。
發明內容
本公開的至少一實施例提供一種探測單元及其制作方法、平板探測器。該探測單元可有效減小光電二極管的暗態漏電流,從而提升探測單元以及包括該探測單元的平板探測器的光電特性。
本公開的至少一實施例提供一種探測單元,包括:襯底基板;位于襯底基板上的第一電極;位于第一電極遠離襯底基板一側的光電二極管;位于光電二極管遠離第一電極一側的透明電極和與透明電極電連接的第二電極,并且,光電二極管在襯底基板上的正投影完全落入第一電極在襯底基板的正投影內,在平行于襯底基板的平面上,透明電極位于光電二極管的中部,且光電二極管未被透明電極覆蓋的部分在襯底基板上的正投影與第二電極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如,光電二極管未被透明電極覆蓋的部分在襯底基板上的正投影完全落入第二電極在襯底基板上的正投影內。
例如,探測單元還包括:位于透明電極遠離光電二極管一側的偏置信號線,偏置信號線與透明電極電連接,并且,第二電極與偏置信號線電連接。
例如,探測單元還包括:位于偏置信號線與透明電極之間的絕緣層,絕緣層包括過孔,偏置信號線通過過孔與透明電極電連接。
例如,第二電極位于絕緣層遠離透明電極的一側。
例如,第二電極與偏置信號線位于同一層且兩者的材料相同。
例如,第二電極的材料包括遮光材料。
例如,透明電極在襯底基板上的正投影與第二電極在襯底基板上的正投影沒有交疊。
例如,探測單元還包括:薄膜晶體管,包括源極和漏極,并且,源極和漏極之一為第一電極。
例如,光電二極管為PIN型光電二極管。
本公開的至少一實施例提供一種探測單元的制作方法,包括:在襯底基板上形成第一電極;在第一電極遠離襯底基板的一側形成光電二極管;在光電二極管遠離第一電極的一側形成透明電極和與透明電極電連接的第二電極,并且,光電二極管在襯底基板上的正投影完全落入第一電極在襯底基板的正投影內,在平行于襯底基板的平面上,透明電極位于光電二極管的中部,且光電二極管未被透明電極覆蓋的部分在襯底基板上的正投影與第二電極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如,探測單元的制作方法還包括:在透明電極遠離光電二極管的一側形成絕緣層;對絕緣層圖案化以形成過孔;在絕緣層遠離透明電極的一側形成導電層,導電層通過過孔與透明電極電連接;對導電層圖案化以形成偏置信號線和第二電極。
例如,形成第二電極包括:在光電二極管未被透明電極覆蓋的部分遠離襯底基板的一側形成第二電極,以使光電二極管未被透明電極覆蓋的部分在襯底基板上的正投影完全落入第二電極在襯底基板上的正投影內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





