[發明專利]導體和包括導體的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710965516.3
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN108122984B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 蕭錦濤;陳志良;賴志明;楊超源;楊惠婷;高克斌;劉如淦;陳順利
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/308
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例提供了一種用于半導體器件的導體及其制造方法，該方法包括：在基底上形成結構；以及從結構中消除第一組的構件的所選擇的部分和第二組的構件的所選擇的部分。該結構包括：平行于第一方向布置的覆蓋的第一導體；以及平行于覆蓋的第一導體布置并且與覆蓋的第一導體交織的覆蓋的第二導體。覆蓋的第一導體組織成至少第一組和第二組。第一組的每個構件均具有第一蝕刻靈敏度的第一蓋。第二組的每個構件均具有第二蝕刻靈敏度的第二蓋。每個覆蓋的第二導體均具有第三蝕刻靈敏度。第一蝕刻靈敏度、第二蝕刻靈敏度和第三蝕刻靈敏度不同。

技術領域

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及導體和包括導體的半導體器件及其制造方法。

背景技術

光刻技術用于制造集成電路。由于在光刻膠的曝光中使用光，當晶圓上的兩個器件彼此太靠近時，會發生光學鄰近效應。光學鄰近效應是由于緊密間隔的部件之間的光的衍射和干擾，從而形成光刻圖像中的線度受附近其他部件的影響。鄰近效應影響例如接觸件(諸如，柵電極和漏極/源極電極)的部件的形成中的工藝控制。

雙重圖案化是一種用于光刻以提高部件密度而發展的技術。通常，為了在晶圓上形成集成電路的部件而使用光刻技術，其中，該光刻技術包括施加光刻膠，并且在光刻膠上限定圖案。首先，將圖案化的光刻膠中的圖案限定在光刻掩模中，并且通過光刻掩模中的透明部分或不透明部分實施。然后將光刻膠中的圖案轉印至制造的部件。

隨著集成電路的持續的按比例縮小，光學鄰近效應將帶來越來越大的問題。當兩個獨立的部件彼此太接近時，各部件之間的間距和/或節距可能超出光源的分辨率極限。根據雙重圖案化技術，將位置緊鄰的部件分為同一雙重圖案化掩模組的兩個掩模，其中，兩個掩模用于對該層進行圖案化。在雙重圖案化掩模的每個中，各部件之間的距離相比于單個掩模中各部件之間的距離增加，因此克服了分辨率極限。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種制造用于半導體器件的導體的方法，所述方法包括：在基底上形成結構，所述結構包括：覆蓋的第一導體，平行于第一方向布置；和覆蓋的第二導體，平行于所述覆蓋的第一導體布置并且與所述覆蓋的第一導體交織；其中，所述覆蓋的第一導體被組織成至少第一組和第二組；所述第一組的每個構件均具有第一蝕刻靈敏度的第一蓋；所述第二組的每個構件均具有第二蝕刻靈敏度的第二蓋；每個所述第二導體均具有第三蝕刻靈敏度的第三蓋；并且所述第一蝕刻靈敏度、所述第二蝕刻靈敏度和所述第三蝕刻靈敏度彼此不同；以及從所述結構中消除所述第一組的構件的所選擇的部分和所述第二組的構件的所選擇的部分。

根據本發明的另一個方面，提供了一種制造用于半導體器件的導體的方法，所述方法包括：在基底上形成結構，所述基底包括在第二方向上布置的平行的鰭、在第一方向上布置的平行的覆蓋的漏電極/源電極、以及平行于所述覆蓋的漏電極/源電極布置并且與所述覆蓋的漏電極/源電極交織的覆蓋的柵電極，所述第一方向與所述第二方向正交，所述覆蓋的漏電極/源電極組織成至少第一組和第二組；所述第一組的每個構件均具有第一蝕刻靈敏度的第一蓋；所述第二組的每個構件均具有第二蝕刻靈敏度的第二蓋；和所述第一蝕刻靈敏度、所述第二蝕刻靈敏度是不同的；從所述第一組的構件的所選擇的部分中去除所述第一蓋，產生所述覆蓋的漏電極/源電極的第一未覆蓋部分；從所述第二組的構件的所選擇的部分中去除所述第二蓋，產生所述覆蓋的漏電極/源電極的第二未覆蓋部分；以及從所述結構中去除所述覆蓋的漏電極/源電極的所述第一未覆蓋部分和所述第二未覆蓋部分。

根據本發明的又一個方面，提供了一種用于制造半導體器件的導體的布置，所述布置包括：基底，包括在第二方向上布置的平行的晶體管溝道結構；覆蓋的第一導體，平行于第一方向布置，所述第一方向與所述第二方向正交；以及覆蓋的第二導體，平行于所述覆蓋的第一導體布置并且與所述覆蓋的第一導體交織，每個所述第二導體具有第三蝕刻靈敏度ES3的第三蓋；其中，所述覆蓋的第一導體組織成至少第一組和第二組；所述第一組的每個構件均具有第一蝕刻靈敏度ES1的第一蓋；所述第二組的每個構件均具有第二蝕刻靈敏度ES2的第二蓋；和所述第一蝕刻靈敏度、所述第二蝕刻靈敏度和所述第三蝕刻靈敏度彼此不同。