[發明專利]導體和包括導體的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710965516.3
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN108122984B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 蕭錦濤;陳志良;賴志明;楊超源;楊惠婷;高克斌;劉如淦;陳順利
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/308
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造用于半導體器件的導體的方法，所述方法包括：

在基底上形成結構，所述結構包括：

被相應的第一蓋和第二蓋覆蓋的第一導體，平行于第一方向布置；和

被第三蓋覆蓋的第二導體，平行于所述第一導體布置并且與所述第一導體交替；

其中，所述第一導體被組織成至少第一組和第二組；

所述第一組的每個構件均具有所述第一蓋，每個所述第一蓋具有第一蝕刻靈敏度；

所述第二組的每個構件均具有所述第二蓋，每個所述第二蓋具有第二蝕刻靈敏度；

每個所述第二導體均具有所述第三蓋，每個所述第三蓋具有第三蝕刻靈敏度；并且

所述第一蝕刻靈敏度、所述第二蝕刻靈敏度和所述第三蝕刻靈敏度彼此不同；以及

消除所述結構中的所述第一蓋和所述第二蓋分別對應的所述第一組的構件和所述第二組的所選擇的構件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

從所述第一組的所選擇的構件中去除所述第一蓋，產生所述第一導體的第一未覆蓋部分；

從所述第二組的所選擇的構件中去除所述第二蓋，產生所述第一導體的第二未覆蓋部分；以及

從所述結構中去除所述第一導體的所述第一未覆蓋部分和所述第二未覆蓋部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，去除所述第一組的所選擇的構件的所述第一蓋包括：

在所述第一組的未選擇的構件上方形成第一掩模部分以使所述第一組的所選擇的構件暴露；

使所述第一組的所選擇的構件和所述第二組的被所述第一掩模部分暴露的其它構件經受第一蝕刻劑，所述第一蝕刻劑選擇性地適用于所述第一蝕刻靈敏度，以從所述第一組的每個所選擇的構件中去除所述第一蓋，產生所述第一導體的所述第一未覆蓋部分；以及

去除所述第一掩模部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，在所述第一組的未選擇的構件上方形成所述第一掩模部分包括：

延伸第一掩模部分的跨度以覆蓋所述第二組的一些構件的部分。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，從所述第二組的構件的所選擇的部分去除所述第二蓋包括：

在所述第二組的未選擇的構件上方形成第二掩模部分以使所述第二組的所選擇的構件暴露；

使所述第二組的所選擇的構件和所述第一組的被第二掩模部分暴露的其它構件經受第二蝕刻劑，所述第二蝕刻劑選擇性地適用于所述第二蝕刻靈敏度，以從所述第二組的每個所選擇的構件去除所述第二蓋，產生所述第一導體的所述第二未覆蓋部分；以及

去除所述第二掩模部分。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述第二組的未選擇的構件上方形成所述第二掩模部分包括：

延伸第二掩模部分的跨度以覆蓋所述第一組的一些構件的部分。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述結構包括：

形成具有交替的第一間隔件、第一蝕刻停止層(ESL)部分和第二蝕刻停止層部分的第一中間層；

在相應的所述第一間隔件、所述第一蝕刻停止層部分和所述第二蝕刻停止層部分上的中心位置中形成第三蝕刻停止層部分；以及

去除所述第一間隔件、所述第一蝕刻停止層部分和所述第二蝕刻停止層部分的暴露區域與位于所述暴露區域下方的導電層的部分，產生相應的被相應的所述第一蓋和所述第二蓋覆蓋的所述第一導體和被所述第三蓋覆蓋的所述第二導體。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述第一中間層包括：

在基底上形成交替的所述第一間隔件、所述第一蝕刻停止層部分和所述第二蝕刻停止層部分；

其中，所述基底包括：平行于第二方向布置的多個鰭，所述第二方向垂直于所述第一方向。