[發(fā)明專利]一種硅片化學(xué)鍍銅方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710963804.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107747084B | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳偉長(zhǎng);劉波;張勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南通賽可特電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C18/40 | 分類號(hào): | C23C18/40;C23C18/18;C30B33/00 |
| 代理公司: | 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234 | 代理人: | 張漢欽 |
| 地址: | 226300 江蘇省南通*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué)鍍銅 硅片 粗化處理 硅片表面 活化處理 均勻致密 敏化處理 耐剝離 除油 銅層 | ||
本發(fā)明涉及一種硅片化學(xué)鍍銅方法,屬于化學(xué)鍍銅技術(shù)領(lǐng)域,所述硅片化學(xué)鍍銅方法包括:1)除油處理;2)粗化處理;3)敏化處理;4)活化處理;5)化學(xué)鍍銅處理。本發(fā)明的設(shè)備以及工藝簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn),且可以在硅片表面形成均勻致密且機(jī)械強(qiáng)度高的銅層,同時(shí)具有優(yōu)異的耐剝離性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化學(xué)鍍銅技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種硅片化學(xué)鍍銅方法。
背景技術(shù)
在化學(xué)鍍銅過(guò)程中Cu2+離子得到電子還原為金屬銅,還原劑放出電子,本身被氧化。其反應(yīng)實(shí)質(zhì)和電解過(guò)程相同,只是得失電子的過(guò)程是在短路狀態(tài)下進(jìn)行的,在外部看不到電流的流通。因此化學(xué)鍍是一種非常節(jié)能高效的電解過(guò)程,因?yàn)樗鼪]有外接電源,電解時(shí)沒有電阻壓降隕耗?;瘜W(xué)鍍銅廣泛應(yīng)用于各行各業(yè),如:電子電器、五金工藝、工藝品、家具裝飾等等。常規(guī)的化學(xué)鍍銅溶液基本適合所有金屬及絕大多數(shù)非金屬表面鍍銅。例如:不銹鋼表面鍍銅,線路板鍍銅,鋁材鍍銅,鐵件鍍銅,銅上鍍銅,樹脂鍍銅,玻璃鍍銅,塑料鍍銅,金剛石鍍銅,樹葉鍍銅,硅片鍍銅等等。而現(xiàn)有的鍍銅產(chǎn)品的化學(xué)鍍銅工藝過(guò)于單一,得到的鍍銅產(chǎn)品的性能也參差不齊。如何設(shè)計(jì)一種硅片化學(xué)鍍銅方法,是業(yè)界亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種硅片化學(xué)鍍銅方法。
本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
提供一種硅片化學(xué)鍍銅方法,所述硅片化學(xué)鍍銅方法包括:
1)除油處理:將硅片依次在丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中超聲清洗40-50分鐘,接著將所述硅片置于濃硫酸/雙氧水混合溶液中,所述濃硫酸/雙氧水混合溶液中濃硫酸和雙氧水的體積比為3:1,在90-110℃下熱處理50-100分鐘,接著用去離子水沖洗所述硅片;
2)粗化處理:將步驟1得到的硅片放置于75-85℃粗化液中超聲攪拌清洗10-30分鐘,其中所述粗化液中各組分的質(zhì)量百分比組成為:氫氧化鉀0.3%-0.6%、硅酸鉀0.3%-0.5%、乙醇3%-6%、異丙醇2%-5%、吲哚丙酸0.02%-0.05%以及余量的水,然后用去離子水清洗所述硅片;
3)敏化處理:用18-25g/L的氯化亞錫和50ml/L的鹽酸配制成的混合溶液對(duì)步驟2得到的硅片進(jìn)行浸泡敏化處理10-30分鐘,溫度為20-30℃,然后用去離子水清洗所述硅片;
4)活化處理:用8-10g/L的硝酸銀和30-50ml/L的氨水配制成的混合溶液對(duì)步驟3得到的硅片進(jìn)行浸泡活化處理10-20分鐘,溫度為20-30℃,然后用去離子水清洗所述硅片;
5)化學(xué)鍍銅處理:首先以升溫速度為1-3℃/min的條件將化學(xué)鍍銅溶液從室溫加熱至40℃,接著將步驟4得到的硅片放置于上述化學(xué)鍍銅溶液中,在40℃下保溫5-10分鐘,接著以升溫速度為2-5℃/min的條件將化學(xué)鍍銅溶液從40℃加熱至75℃,在75℃下保溫30-50分鐘,接著以降溫速度為3-6℃/min的條件將化學(xué)鍍銅溶液從75℃降溫至40℃,在40℃下保溫10-20分鐘,將化學(xué)鍍銅處理后的硅片從化學(xué)鍍銅溶液中取出,對(duì)化學(xué)鍍銅處理后的硅片用去離子水清洗,然后進(jìn)行干燥處理以得到鍍銅硅片。
作為優(yōu)選,所述化學(xué)鍍銅溶液包括10-30g/L的無(wú)水硫酸銅,10-15ml/L的甲醛,20-40g/L的酒石酸鉀鈉,150-300mg/L的亞鐵氰化鉀以及10-50g/L的氫氧化鈉。
作為優(yōu)選,所述化學(xué)鍍銅溶液包括10-20g/L的無(wú)水硫酸銅,30-60g/L的乙二胺四乙酸二鈉,3-8g/L的次亞磷酸鈉,30-60mg/L的2,2’-聯(lián)砒啶,50-80mg/L的亞鐵氰化鉀,30-80g/L的氫氧化鈉以及5-10ml/L的水合肼。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的設(shè)備以及工藝簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn),且可以在硅片表面形成均勻致密且機(jī)械強(qiáng)度高的銅層,同時(shí)具有優(yōu)異的耐剝離性能。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過(guò)液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
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C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
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C23C18-54 .接觸鍍,即無(wú)電流化學(xué)鍍
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